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1. IN5543/DELNP/2012 - COMPLEX OXIDE METHOD FOR PRODUCING SAME AND EXHAUST GAS PURIFYING CATALYST

官庁 インド
出願番号 5543/DELNP/2012
出願日 21.06.2012
公開番号 5543/DELNP/2012
公開日 28.02.2014
公報種別 A
IPC
B01J 23/10
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
23グループB01J21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
10希土類に関するもの
B01J 33/00
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
33触媒の保護,例.被覆によるもの
F01N 3/10
F機械工学;照明;加熱;武器;爆破
01機械または機関一般;機関設備一般;蒸気機関
N機械または機関のためのガス流消音器または排気装置一般;内燃機関用ガス流消音器または排気装置
3排気の清浄,無害化または他の処理をする手段をもつ排気もしくは消音装置
08無害にするためのもの
10排気の有害成分を熱または触媒で変換することによるもの
出願人 ANAN KASEI CO. LTD.
優先権情報 2009267893 25.11.2009 JP
発明の名称
(EN) COMPLEX OXIDE METHOD FOR PRODUCING SAME AND EXHAUST GAS PURIFYING CATALYST
要約
(EN)
Disclosed are: a silicon containing cerium complex oxide which has excellent heat resistance and excellent reduction rate and is capable of maintaining high specific surface area even in cases where the silicon containing cerium complex oxide is used in a high temperature environment; a method for producing the silicon containing cerium complex oxide; and an exhaust gas purifying catalyst which utilizes the silicon containing cerium complex oxide. Specifically disclosed is a complex oxide which contains 2 20% by mass of silicon in terms of SiO and has a specific surface area of not less than 40 m/g as determined by a BET method after being fired at 1000°C for 5 hours. The complex oxide has a reduction rate of not less than 30% as calculated from the results of a temperature programmed reduction measurement from 50°C to 900°C after being fired at 1000°C for 5 hours and is particularly suitable as a promoter for an exhaust gas purifying catalyst that is used for automobiles and the like.