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1. (EP2595189) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE

官庁 : 欧州特許庁(EPO)
出願番号: 11806717 出願日: 08.07.2011
公開番号: 2595189 公開日: 22.05.2013
公報種別: B1
指定国: AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:JP2011065733 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 27/146
H01L 31/0232
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0232
装置と結合した光学素子または光学装置
CPC:
H01L 27/1462
H01L 27/14621
H01L 27/14623
H01L 27/14627
H01L 27/1464
H01L 27/14685
H01L 31/02327
出願人: SONY CORP
発明者: MAEDA KENSAKU
MATSUGAI HIROYASU
MORIYA YUSUKE
優先権情報: 2010161083 15.07.2010 JP
2011065733 08.07.2011 JP
発明の名称: (DE) FESTKÖRPERBILDGEBUNGSELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES FESTKÖRPERBILDGEBUNGSELEMENTS UND ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
要約: front page image
(EN) The present invention relates to a solid-state imaging device having good focusing properties, a method for manufacturing such a solid-state imaging device, and an electronic apparatus. The solid-state imaging device has a semiconductor substrate 11 and a photoelectric conversion part formed in the semiconductor substrate 11. In the solid-state imaging device, a laminate including an organic material layer and an inorganic material layer is formed on the semiconductor substrate with at least one stress relaxation layer 22 interposed between the organic and inorganic material layers. This technology is applicable to, for example, solid-state imaging devices having pixels and microlenses placed thereon.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs et un procédé de fabrication qui permet d'obtenir un élément d'imagerie à semi-conducteurs avec d'excellentes propriétés de condensation de la lumière, ainsi qu'un dispositif électronique. Ledit élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend un corps de base semi-conducteur (11) et une partie de conversion photoélectrique formée sur le corps de base semi-conducteur (11). L'élément d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu d'une couche de matériau organique et d'une couche de matériau inorganique qui sont déposées sur le corps de base semi-conducteur par l'intermédiaire d'au moins une couche de relaxation des contraintes (22). Cette technique peut également être appliquée, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteurs comportant une microlentille disposée sur un pixel ou son équivalent.
Also published as:
US20130134540CN103098213US20140210032KR1020130090396EP3232472CN107425023
CN107425024KR1020180026805KR1020190047119WO/2012/008387