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1. EP3502322 - GAAS SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

官庁
欧州特許庁(EPO)
出願番号 17910752
出願日 26.05.2017
公開番号 3502322
公開日 26.06.2019
公報種別 A4
IPC
H01L 21/306
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
B08B 3/12
B処理操作;運輸
08清掃
B清掃一般;汚れ防止一般
3液体または蒸気の使用または存在を含む方法による清掃
04液体との接触を含む清掃
10液体または清掃される物の付加的処理を有するもの,例.熱,電気,振動によるもの
12音波または超音波振動によるもの
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
C30B 33/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
08Etching
10in solutions or melts
H01L 21/02052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02052Wet cleaning only
出願人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
発明者 FUJIWARA SHINYA
HIGUCHI YASUAKI
指定国 (国コード)
発明の名称
(DE) GAAS-SUBSTRAT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) GAAS SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE GAAS ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
要約
(EN)
A GaAs substrate has a first surface. The sum of the number of particles having a longer diameter of more than or equal to 0.16 µm which are present in the first surface, per cmof the first surface, and the number of damages having a longer diameter of more than or equal to 0.16 µm which are present in a second surface, per cmof the second surface, is less than or equal to 2.1, the second surface being formed by etching the first surface by 0.5 µm in a depth direction.

(FR)
L'invention concerne un substrat de GaAs comportant une première surface. Le nombre de particules, par cm2 de la première surface, présentes sur la première surface et ayant un diamètre long d'au moins 0,16 µm et le nombre de dégradations, par cm2 d'une seconde surface formée en gravant la première surface sur 0,5 µm dans le sens de la profondeur, présentes sur la seconde surface et ayant un diamètre long d'au moins 0,16 µm ne sont pas supérieurs à 2,1.