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1. EP3260572 - TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
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官庁
欧州特許庁(EPO)
出願番号
16799865
出願日
17.05.2016
公開番号
3260572
公開日
27.12.2017
公報種別
A4
IPC
C23C 14/34
C
化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
B21J 1/02
B
処理操作;運輸
21
本質的には材料の除去が行なわれない機械的金属加工;金属の打抜き
J
鍛造;ハンマーリング;金属のプレス;リベット締め;鍛造炉
1
金属材料の調整
02
特定の形に変形しない金属素材の前処理,例.偏折域の改善,素材の荒鍛造またはプレス加工
C22C 27/02
C
化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
27
レニウムまたはグループC22C14/00もしくはC22C16/00において述べられていない耐火金属を基とする合金
02
バナジウム,ニオブまたはタンタルを基とする合金
C22F 1/00
C
化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
C22F 1/18
C
化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
16
上記以外の金属またはそれを基とする合金
18
高融点金属,耐火金属またはそれらを基とする合金
C23C 14/34
C
化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
B21J 1/02
B
処理操作;運輸
21
本質的には材料の除去が行なわれない機械的金属加工;金属の打抜き
J
鍛造;ハンマーリング;金属のプレス;リベット締め;鍛造炉
1
金属材料の調整
02
特定の形に変形しない金属素材の前処理,例.偏折域の改善,素材の荒鍛造またはプレス加工
C22C 27/02
C
化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
27
レニウムまたはグループC22C14/00もしくはC22C16/00において述べられていない耐火金属を基とする合金
02
バナジウム,ニオブまたはタンタルを基とする合金
C22F 1/00
C
化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
C22F 1/18
C
化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
16
上記以外の金属またはそれを基とする合金
18
高融点金属,耐火金属またはそれらを基とする合金
分類の表示データを減らす
CPC
B21J 1/02
B
PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
21
MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
J
FORGING; HAMMERING; PRESSING METAL; RIVETING; FORGE FURNACES
1
Preparing metal stock ; or similar ancillary operations prior, during or post forging, e.g. heating or cooling
02
Preliminary treatment of metal stock without particular shaping, e.g. salvaging segregated zones, forging or pressing in the rough
C22C 27/02
C
CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
C
ALLOYS
27
Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups
C22C14/00
or
C22C16/00
02
Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
C22F 1/00
C
CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
F
CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1
Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
C22F 1/18
C
CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
F
CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1
Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
16
of other metals or alloys based thereon
18
High-melting or refractory metals or alloys based thereon
C23C 14/3414
C
CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
34
Sputtering
3407
Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414
Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C23C 14/34
C
CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
34
Sputtering
分類をさらに表示
B21J 1/02
B
PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
21
MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
J
FORGING; HAMMERING; PRESSING METAL; RIVETING; FORGE FURNACES
1
Preparing metal stock ; or similar ancillary operations prior, during or post forging, e.g. heating or cooling
02
Preliminary treatment of metal stock without particular shaping, e.g. salvaging segregated zones, forging or pressing in the rough
C22C 27/02
C
CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
C
ALLOYS
27
Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups
C22C14/00
or
C22C16/00
02
Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
C22F 1/00
C
CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
F
CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1
Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
C22F 1/18
C
CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
F
CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1
Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
16
of other metals or alloys based thereon
18
High-melting or refractory metals or alloys based thereon
C23C 14/3414
C
CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
34
Sputtering
3407
Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414
Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C23C 14/34
C
CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
34
Sputtering
C23C 14/3407
C
CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
34
Sputtering
3407
Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
分類の表示データを減らす
出願人
JX NIPPON MINING & METALS CORP
発明者
NAGATSU KOTARO
SENDA SHINICHIRO
指定国 (国コード)
すべて表示
AL, AT, BA, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, ME, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR
すべて非表示
優先権情報
2015104295 22.05.2015 JP
2016064537 17.05.2016 JP
発明の名称
(DE)
TANTALSPUTTERTARGET UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN)
TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR)
CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE TANTALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
要約
(EN)
Provided is a tantalum sputtering target, which includes an area ratio of crystal grains of which a {111} plane is oriented in a direction normal to a rolling surface (ND) is 35% or more when the ND, which is a cross section orthogonal to a sputtering surface of a target, is observed via Electron Backscatter Diffraction Pattern method. The object of the present invention is to provide a tantalum sputtering target in which a sputtered material can be uniformly deposited on a wafer surface under high-power sputtering conditions by increasing the straightness of the sputtered material. By using this kind of tantalum target for sputter-deposition, it is possible to improve the film thickness uniformity and the throughput of deposition even for fine wiring.
関連特許文献
KR1020170127548
CN107532287
SG11201708112T
US20180105926
JPWO2016190159
WO/2016/190159
IL255349