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1. EP2043167 - NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

官庁 欧州特許庁(EPO)
出願番号 08739137
出願日 28.03.2008
公開番号 2043167
公開日 01.04.2009
公報種別 A4
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
04
量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
06
発光領域内にあるもの,例.量子閉じ込め構造,トンネル障壁
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
H01L 33/00
H01L 21/205
H01L 33/06
H01L 33/16
H01L 33/32
CPC
H01L 33/06
H01L 21/0237
H01L 21/02389
H01L 21/02433
H01L 21/02458
H01L 21/0254
出願人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
発明者 AKITA KATSUSHI
KYONO TAKASHI
ISHIBASHI KEIJI
KASAI HITOSHI
優先権情報 2007100930 06.04.2007 JP
2008056013 28.03.2008 JP
発明の名称
(DE) LICHTEMITTIERENDES NITRIDHALBLEITERELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
要約
(EN)
An active layer 17 is provided so as to emit light having an emission wavelength in the 440 nm to 550 nm band. A first-conductivity-type gallium nitride semiconductor region 13, the active layer 17, and a second-conductivity-type gallium nitride semiconductor region 15 are arranged along a predetermined axis Ax. The active layer 17 includes a well layer composed of hexagonal In x Ga 1- x N (0.16 ‰¤ x ‰¤ 0.4, x : strained composition), with the indium fraction x is represented by the strained composition. The m -plane of the hexagonal In x Ga 1- x N is oriented along the predetermined axis Ax. The well-layer thickness is between greater than 3 nm and less than or equal to 20 nm. Having the well-layer thickness be over 3 nm makes it possible to fabricate light-emitting devices having an emission wavelength of over 440 nm.