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1. EP2133912 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND BIAS GENERATING CIRCUIT

官庁 欧州特許庁(EPO)
出願番号 07740276
出願日 29.03.2007
公開番号 2133912
公開日 16.12.2009
公報種別 A1
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H01L 21/822
H01L 27/04
出願人 FUJITSU LTD
発明者 TANAKA MOTOYUKI
指定国 (国コード)
優先権情報 2007056838 29.03.2007 JP
発明の名称
(DE) HALBLEITERANORDNUNG UND VORSPANNUNGSERZEUGUNGSSCHALTUNG
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND BIAS GENERATING CIRCUIT
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT GENERATEUR DE POLARISATION
要約
(EN)
A first power supply voltage input section (VDD) can input a first power supply voltage, a second power supply voltage input section (VDD2) can input a second power supply voltage, a regulator circuit (11) generates a back bias voltage on the basis of the second power supply voltage, and an output section (VBP1) can output the back bias voltage generated by the regulator circuit (11) as an output voltage. A substrate bias can be generated with low power consumption, and the circuit scale can be reduced.