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1. (DE112018000035) Verfahren zur Qualitätsbewertung eines SiC-Einkristallkörpers und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristallblocks unter Verwendung desselben

官庁 : ドイツ
出願番号: 112018000035 出願日:
公開番号: 112018000035 公開日: 28.02.2019
公報種別: T5
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2018013390 ; 公開番号:WO2018181788 クリックしてデータを表示
IPC:
G01N 23/207
G01N 23/20
C30B 29/36
G01N 23/2055
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
23
グループG01N21/00またはG01N22/00に包含されない波動性または粒子性放射線,例.X線,中性子線,の使用による材料の調査または分析
20
放射線の回折の利用によるもの,例.結晶構造の調査のためのもの;放射線の反射の利用によるもの
207
検出器を用いた回折手段によるもの,例.分析用結晶または被分析結晶を中心におき1個または複数個の移動可能な検出器を周辺に配するもの
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
23
グループG01N21/00またはG01N22/00に包含されない波動性または粒子性放射線,例.X線,中性子線,の使用による材料の調査または分析
20
放射線の回折の利用によるもの,例.結晶構造の調査のためのもの;放射線の反射の利用によるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
[IPC code unknown for G01N 23/2055]
出願人: Showa Denko K.K.
発明者: Nakabayashi Masashi
Ushio Shoji
代理人: Strehl Schübel-Hopf & Partner mbB Patentanwälte European Patent Attorneys
優先権情報: 2017-069381 30.03.2017 JP
発明の名称: (DE) Verfahren zur Qualitätsbewertung eines SiC-Einkristallkörpers und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristallblocks unter Verwendung desselben
要約: front page image
(DE)

Es wird ein Verfahren zur Bewertung der Qualität eines SiC-Einkristalls, das in der Lage ist, die Qualität des SiC-Einkristalls durch ein zerstörungsfreies und einfaches Verfahren zu bewerten, und ein Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristallblocks bereitgestellt, das in der Lage ist, einen SiC-Einkristallblock mit weniger Versetzung und hoher Qualität bei guter Reproduzierbarkeit unter Verwendung desselben herzustellen. Ein Verfahren zum Bewerten der Qualität eines SiC-Einkristallkörpers basierend auf dem Graphen einer zweiten Polynomgleichung, die durch Differenzieren einer ersten Polynomgleichung erhalten wird, wobei die erste Polynomgleichung die Beziehung zwischen einem Peakverschiebungswert und einer Position des Messpunkts annähert und der Peakverschiebungswert durch eine Röntgenschwenkkurvenmessung erhalten wird. Darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristallblocks, das einen SiC-Einkristallblock durch ein Sublimationsumkristallisationsverfahren herstellt, wobei als Impfkristall der nach dem Bewertungsverfahren bewertete SiC-Einkristallkörper verwendet wird. embedded image


また、:
CN109196146WO/2018/181788