Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers bereit, welches beinhaltet: Abschneiden einer Mehrzahl von Wafern von einem Ingot; Abschrägen von äußeren Umfangsabschnitten der Mehrzahl von geschnittenen Wafern; und Durchführen von doppelseitigem Polieren, um beide Flächen jedes Wafers, dessen äußerer Umfangsabschnitt von einem Träger festgehalten wird, zu polieren, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verfahren das Ausführen einer Warp-Richtungseinstellung beinhaltet, um Richtungen von Warps der Mehrzahl von Wafern in eine Richtung nach dem Schneiden und vor dem Abschrägen zu vereinheitlichen, und das Abschrägen und das doppelseitige Polieren in einem Zustand ausgeführt werden, in dem die Richtungen der Warps der Mehrzahl von Wafern nach der Warp-Richtungseinstellung in eine Richtung vereinheitlicht werden. Folglich ist es möglich, das Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers bereitzustellen, welches eine Verminderung der Ebenheit der doppelseitig polierten Wafer sogar im Falle einer Vereinheitlichung von Richtungen der Warps der Wafer in eine Richtung vor dem doppelseitigen Polieren unterbinden kann.