WIPO が提供するオンライン サービスの外観や操作性を統一させる取り組みの一環として、PATENTSCOPE のデザインも新しくなります。
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Ein Herstellungsverfahren für einen epitaktischen Siliciumwafer, umfassend einen mit Bor dotierten Siliciumwafer mit einem spezifischen Widerstand von 100 mΩ·cm oder weniger und einem auf einer Oberfläche des Siliciumwafers gebildeten epitaktischen Film, umfasst: Aufwachsen des epitaktischen Films auf dem Siliciumwafer (Schritt S2); sowie Anwenden einer Hitzebehandlung auf den epitaktischen Siliciumwafer bei einer Temperatur von weniger als 900°C (Schritt S3).