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1. DE112010001873 - SINTERKÖRPER FÜR EIN SPUTTERTARGET AUF ZnO-Ga2O3-BASIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON

官庁 ドイツ
出願番号 112010001873
出願日 27.04.2010
公開番号 112010001873
公開日 09.08.2012
公報種別 T5
IPC
C23C 14/4
C04B 35/53
C04B 35/4
CPC
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C04B 35/453
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
01based on oxide ceramics
453based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
C04B 35/64
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
64Burning or sintering processes
C04B 2235/3284
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3284Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
C04B 2235/3286
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3286Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
C04B 2235/5436
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5436micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
出願人 ULVAC INC
発明者 NAGAYAMA SATSUKI
SATONOSONO KAORU
優先権情報 2009111757 01.05.2009 JP
2010003001 27.04.2010 JP
発明の名称
(DE) SINTERKÖRPER FÜR EIN SPUTTERTARGET AUF ZnO-Ga2O3-BASIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON
要約
(DE)

Aufgabe: Bereitstellung eines Sinterkörpers für ein Sputtertarget auf ZnO-Ga2O3-Basis, der einen niedrigen Widerstand aufweist und in der Lage ist, die Ausbildung von Knoten und Flocken zu unterbinden, und ein Verfahren zur Herstellung davon. Lösungen: Die vorliegende Erfindung umfasst die Schritte der Ausbildung eines Pulvergemischs aus einem Zinkoxidpulver und einem Galliumoxidpulver, Unterbringen des Presslings des Pulvergemischs im Inneren eines Behälters 20, der im Inneren eines Sinterofens 10 anzubringen ist, Anheben einer Temperatur des Presslings bis auf eine Sintertemperatur von nicht weniger als 1200°C, jedoch nicht mehr als 1500°C, während Sauerstoff in den Behälter 20 eingeleitet wird, Halten der Sintertemperatur in einem Zustand, in dem der Sauerstoff in das Innere des Behälters 20 eingeleitet wird, und Absenken einer Temperatur des Inneren des Ofens in einem Zustand, in dem die Einleitung des Sauerstoffs in das Innere des Behälters 20 angehalten wird. Der Behälter 20 weist die Funktion auf, dass er innerhalb des Ofens geheizt wird, um eine Homogenisierung einer Wärmeverteilung des Presslings zu erreichen, wodurch es möglich ist, einen Einfluss aufgrund der Wärmeverteilung innerhalb des Ofens zu beseitigen und eine Eigenschaft der gleichmäßigen Erwärmung des Presslings zu verbessern. Somit ist es möglich, das GZO-Sputtertarget mit einem niedrigen Widerstand zu erhalten, welches in der Lage ist, die Ausbildung von Knoten und Flocken zu unterbinden.