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1. (CN102844472) High-purity copper anode for copper electroplating, method for producing same, and copper electroplating method

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201180018264.4 出願日: 25.03.2011
公開番号: 102844472 公開日: 26.12.2012
特許番号: 102844472 特許付与日: 25.11.2015
公報種別: B
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2011057450 ; 公開番号:2011122493 クリックしてデータを表示
IPC:
C25D 17/10
C22F 1/08
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
17
電解被覆用槽の構造部品またはその組立体
10
電極
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
08
銅または銅基合金
出願人: 三菱综合材料株式会社
発明者: 中矢清隆
喜多晃一
熊谷训
加藤直树
渡边真美
代理人: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
優先権情報: 2010-077215 30.03.2010 JP
発明の名称: (EN) High-purity copper anode for copper electroplating, method for producing same, and copper electroplating method
(ZH) 电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法
要約: front page image
(EN) Disclosed are a high-purity copper anode for electroplating that can reduce the generation of slime and other particles and plating failure caused thereby, a method for producing the same, and a copper electroplating method using the same. After imparting processing strain by processing high-purity copper for electroplating, the copper crystal grains on the anode surface are given a crystal grain boundary structure by carrying out recrystallization heat treatment such that the special grain boundary length ratio LN/LsN between the unit total grain boundary length LN of crystal grain boundaries and the unit total special grain boundary length LsN of special grain boundaries is 0.35 or greater. Consequently, plating failures are reduced by inhibiting the generation of slime and other particles generated on the anode side in the copper plating bath.
また、:
US20130075272KR1020130018655MYPI 2012700718IN8567/DELNP/2012WO/2011/122493