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1. (CN102822977) Semiconductor device

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201180017302.4 出願日: 30.03.2011
公開番号: 102822977 公開日: 12.12.2012
特許番号: 102822977 特許付与日: 25.11.2015
公報種別: B
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2011058058 ; 公開番号:2011122670 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 29/78
H01L 21/336
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
CPC:
H01L 29/66734
H01L 21/02164
H01L 21/02271
H01L 21/02529
H01L 21/0254
H01L 21/0465
H01L 21/31111
H01L 29/0615
H01L 29/0619
H01L 29/0657
H01L 29/0696
H01L 29/0886
H01L 29/1095
H01L 29/1608
H01L 29/4236
H01L 29/42368
H01L 29/42376
H01L 29/4238
H01L 29/45
H01L 29/512
H01L 29/513
H01L 29/517
H01L 29/518
H01L 29/66068
H01L 29/7811
H01L 29/7813
出願人: 罗姆股份有限公司
発明者: 奥村启树
三浦峰生
中野佑纪
川本典明
安部英俊
代理人: 中国专利代理(香港)有限公司 72001
中国专利代理(香港)有限公司 72001
優先権情報: 2010-078280 30.03.2010 JP
発明の名称: (EN) Semiconductor device
(ZH) 半导体装置
要約: front page image
(EN) The disclosed semiconductor device contains: a semiconductor layer having a first conductivity type; a plurality of body regions that have a second conductivity type and that are formed at intervals at the surface layer of the aforementioned semiconductor layer; a source region that has the first conductivity type and that is formed at the surface layer of each of the aforementioned body regions; a gate insulating film that is provided on the aforementioned semiconductor layer and that straddles between adjacent of the aforementioned body regions; a gate electrode that is provided on the aforementioned gate insulating film and that faces the aforementioned body regions; and an electric field moderating section that is provided between adjacent of the aforementioned body regions and that moderates the electric field arising at the aforementioned gate insulating film.
(ZH)

本发明的半导体装置包含:第一导电型的半导体层;在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域;形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域;设在所述半导体层上,架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜;设在所述栅极绝缘膜上,与所述体区域对置的栅极电极;以及设在相邻的所述体区域之间,缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。


また、:
EP2562818US20130009256US20170092743WO/2011/122670