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1. (CN101641807) Process for producing magnetic element

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 200780052423.6 出願日: 30.03.2007
公開番号: 101641807 公開日: 03.02.2010
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2007057689 ; 公開番号:2008129605 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 43/12
C23F 4/00
H01L 27/105
H01L 43/08
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
4
グループ1/00または3/00に分類されない,表面から金属質材料を除去するための方法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
CPC:
C23F 4/00
B82Y 10/00
B82Y 25/00
B82Y 40/00
G11B 5/3163
G11B 5/3906
G11B 5/3909
G11C 11/161
H01F 10/3254
H01F 41/308
H01L 43/08
H01L 43/12
出願人: Annaiwa Co., Ltd. (JP)
佳能安内华股份有限公司
発明者: Kodaira Kichisabu
小平吉三
Osada Tomoaki
长田智明
代理人: liu xinyu li maojia
北京林达刘知识产权代理事务所
北京林达刘知识产权代理事务所
優先権情報:
発明の名称: (EN) Process for producing magnetic element
(ZH) 制造磁性器件的方法
要約: front page image
(EN) A magnetic device is fabricated by etching a magnetic film in an atmosphere of plasma using a non-organic film as a mask. An atmosphere of plasma is generated by using at least one kind of gasifying compound selected from a gasifying compound group consisting of ethers, aldehydes, carboxylic acids, esters and diones; and by using a non-organic material mask, etching a magnetic film or diamagneticfilm which includes at least one kind of metal selected from a metal group consisting of VIII group, IX group and X group elements in a periodic table. As a gas in the atmosphere of plasma, at least one kind of gas selected from a gas group consisting of oxygen, ozone, nitrogen, H2O, N2O, NO2 and CO2 can be added to the gasifying compound. The etching rate and the etching ratio were favorable.
(ZH)

使用非有机膜掩模在等离子体气氛中蚀刻磁性膜以生产磁性元件。所述等离子体气氛由选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类和二酮类组成的组的至少一种气化化合物来形成。在等离子体气氛中使用非有机材料掩模蚀刻包含选自由元素周期表中第8族、第9族和第10族元素组成的组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。可以将选自氧、臭氧、氮、H2O、N2O、NO2和CO2组成的组的至少一种气体作为等离子体气氛气体添加至所述气化化合物。蚀刻速率和蚀刻比是令人满意的。


また、:
KR1020100005058US20100044340WO/2008/129605