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1. CN101641777 - Semiconductor device and bias generating circuit

官庁 中華人民共和国
出願番号 200780052415.1
出願日 29.03.2007
公開番号 101641777
公開日 03.02.2010
特許番号 101641777
特許付与日 23.05.2012
公報種別 B
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
CPC
G05F 3/205
H01L 27/0222
出願人 Fujitsu Ltd. (JP)
富士通株式会社
発明者 Tanaka Motoyuki
田中基之
代理人 luo yunpo li wei
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
発明の名称
(EN) Semiconductor device and bias generating circuit
(ZH) 半导体装置及偏压产生电路
要約
(EN)
There are included a first power supply voltage input part (VDD) that can input a first power supply voltage; a second power supply voltage input part (VDD2) that can input a second power supply voltage; a regulator circuit (11) that generates a back bias voltage based on the second power supply voltage; and an output part (VBP1) that can output, as an output voltage, the back bias voltage generated by the regulator circuit (11). In this way, the generation of a board bias can be achieved with lower power consumption, while the circuit scale can be reduced.

(ZH)

具有能够输入第1电源电压的第1电源电压输入部(VDD)、能够输入第2电源电压的第2电源电压输入部(VDD2)、基于第2电源电压产生反偏压电压的调整电路(11)、和能够将由该调整电路(11)产生的反偏压电压作为输出电压输出的输出部(VBP1),由此,能够以低功耗来产生基板偏压,并且,能够使电路规模缩小。