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1. (CN101641778) Semiconductor integrated circuit device

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 200780052411.3 出願日: 30.03.2007
公開番号: 101641778 公開日: 03.02.2010
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2007057152 ; 公開番号:2008126264 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/8238
H01L 27/092
H01L 27/08
H01L 29/78
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8238
相補型電界効果トランジスタ,例.CMOS
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
092
相補型MIS電界効果トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC:
H01L 21/02225
H01L 21/8238
H01L 21/823807
H01L 29/665
H01L 29/7843
出願人: Fujitsu Microelectronics Ltd. (JP)
富士通微电子株式会社
発明者: Naka Satoshi
中井聪
Suga Mahito
须贺真人
Ogura Hisasuke
小仓寿典
代理人: guo xiaodong ma shaodong
隆天国际知识产权代理有限公司
隆天国际知识产权代理有限公司
優先権情報:
発明の名称: (EN) Semiconductor integrated circuit device
(ZH) 半导体集成电路装置
要約: front page image
(EN) A semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate and a plurality of semiconductor elements formed on the semiconductor substrate. Each of the semiconductor elements includes an n-channel MOS transistor and a p-channel MOS transistor. The n-channel MOS transistor is covered with a tensile stress film while the p-channel MOS transistor is covered with a compressive stressfilm. On the semiconductor substrate surface is formed a dummy region having an entire surface formed by the tensile stress film or the compressive stress film.
(ZH)

一种半导体集成电路装置,包括半导体基板和形成在所述半导体基板上的多个半导体元件,其中,所述多个半导体元件包括n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管,所述n沟道MOS晶体管被拉伸应力膜覆盖,所述p沟道MOS晶体管被压缩应力膜覆盖,在所述半导体基板表面形成有虚设区域,所述虚设区域的整个面由所述拉伸应力膜和所述压缩应力膜中的某个膜构成。


また、:
JP5299268WO/2008/126264