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1. (CN101015068) Function element, storage element, magnetic recording element, solar cell, photoelectric conversion element, light emitting element, catalyst reaction device, and clean unit

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 200580030115.4 出願日: 08.09.2005
公開番号: 101015068 公開日: 08.08.2007
特許番号: 101015068 特許付与日: 30.03.2011
公報種別: B
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2005017003 ; 公開番号:2006035610 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 31/045
H01L 27/112
H01L 51/10
G11C 13/00
H01L 21/8246
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
042
光電池のパネルまたは配列を含むもの,例.太陽電池
045
折りたたみまたは折り重ね可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
112
リードオンリーメモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
10
装置の細部
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
13
11/00,23/00,または25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
CPC:
G11C 13/02
G11C 11/16
G11C 13/0009
H01L 21/67017
Y02E 10/549
Y02P 70/521
出願人: Univ Hokkaido
国立大学法人北海道大学
発明者: Ishibashi Akira
石桥晃
代理人: lujin hua huangqi hang
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
優先権情報: 262040/2004 09.09.2004 JP
375089/2004 24.12.2004 JP
発明の名称: (EN) Function element, storage element, magnetic recording element, solar cell, photoelectric conversion element, light emitting element, catalyst reaction device, and clean unit
(ZH) 净化单元
要約: front page image
(EN) Memory device is made based upon a structure comprising a lamination of at least two thin pieces each having a periodically laminated configuration of conductive layers (preferably metals) each having a thickness in the range from 0.2 nm to 60 nm, and dielectric layers, each having a thickness larger than the thickness of each the conductive layer, such that the layers cross each other and edges of the conductive layers are opposed to each other. The thickness of said conductive layer is preferably in the range from 0.2 nm to 30 nm, and the thickness of said dielectric is typically in the range from 2 nm to 200 mum. The recording medium is insulator layer or nano-bridge structure.
(ZH)

至少使用2片重叠的如下结构构成存储元件:对由厚度0.2nm以上60nm以下的带状的导电体层,优选金属层,和具有该导电体层的厚度以上的厚度的电介质层的周期结构体构成的薄片,使该层相互交叉,并且,使导电体层的边缘之间通过规定的存储介质而对置。导电体层的厚度优选0.2nm以上30nm以下,电介质层的厚度一般为0.2nm以上200μm以下。存储介质是绝缘膜或纳米桥结构。


また、:
KR1020070059087EP1804300US20070202797WO/2006/035610