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1. (CN109643690) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201780052563.7 出願日: 26.12.2017
公開番号: 109643690 公開日: 16.04.2019
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2017046623 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/8239
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人: TDK CORP
TDK株式会社
発明者: SASAKI TOMOYUKI
佐佐木智生
SHIBATA TATSUO
柴田龙雄
代理人: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
優先権情報: 2017-080413 14.04.2017 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
(ZH) 磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件
要約: front page image
(EN) The magnetic domain wall utilizing analog memory element according to one mode of the present invention comprises: a magnetized fixed layer (1) wherein the magnetization is oriented in a first direction; a non-magnetic layer (2) provided on one surface of the magnetized fixed layer (1); a magnetic domain wall drive layer (3) provided relative to the magnetized fixed layer (1) such that the non-magnetic layer (2) is held therebetween; a first magnetization supply means (4) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in the first direction; and a second magnetization supply means (5) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in a second direction opposite the first direction. At least one among the first magnetization supplymeans (4) and the second magnetization supply means (5) is in contact with the magnetic domain wall drive layer (3), and is a spin orbit torque wiring extending in a direction intersecting with the magnetic domain wall drive layer (3).
(ZH) 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5),第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
また、:
US20190189516WO/2018/189964