このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (CN109196146) METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF SiC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT UTILIZING SAID METHOD

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201880002188.X 出願日: 29.03.2018
公開番号: 109196146 公開日: 11.01.2019
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2018013390 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
C30B 29/36
G01N 23/20
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
23
グループG01N21/00またはG01N22/00に包含されない波動性または粒子性放射線,例.X線,中性子線,の使用による材料の調査または分析
20
放射線の回折の利用によるもの,例.結晶構造の調査のためのもの;放射線の反射の利用によるもの
出願人: SHOWA DENKO KK
昭和电工株式会社
発明者: NAKABAYASHI MASASHI
中林正史
USHIO SHOJI
牛尾昌史
代理人: 北京市中咨律师事务所 11247
北京市中咨律师事务所 11247
優先権情報: 2017-069381 30.03.2017 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF SiC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT UTILIZING SAID METHOD
(ZH) SiC单晶体的品质评价方法及利用该方法的碳化硅单晶锭的制造方法
要約: front page image
(EN) Provided are: a method for evaluating the quality of a SiC single crystal, whereby it becomes possible to evaluate the quality of a SiC single crystal by a non-destructive and simple process; and a method for producing a SiC single crystal ingot, whereby it becomes possible to produce a SiC single crystal ingot that rarely undergoes dislocation and has high quality with high reproducibility by utilizing the evaluation method. A method for evaluating the quality of a SiC single crystal, said method involving approximating a peak shift value obtained by X-ray rocking curve measurement with a polynomial, i.e. a first polynomial, from the relationship with the positions of measurement points, then differentiating the first polynomial to obtain a second polynomial, and then evaluating the quality of the SiC single crystal on the basis of a graph of the second polynomial; and a method for producing a SiC single crystal ingot, said method involving producing the SiC single crystal ingot by asublimation-recrystallization method using, as a seed crystal, a SiC single crystal that has been evaluated by the evaluation method.
(ZH) 提供一种能够通过非破坏且简便的方法对SiC单晶的品质进行评价的SiC单晶的品质评价方法及利用该品质评价方法能够再现性良好地制造位错少、品质高的SiC单晶锭的SiC单晶锭的制造方法。是根据与测定点的位置的关系通过多项式近似地表示利用X射线摇摆曲线测定获得的峰位移值并基于对该第1多项式进行微分而获得的第2多项式的曲线图对SiC单晶体的品质进行评价的SiC单晶体的品质评价方法,另外,是使用以上述的方式进行了评价的SiC单晶体作为籽晶并通过升华再结晶法来制造SiC单晶锭的SiC单晶锭的制造方法。
また、:
DE112018000035WO/2018/181788