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1. (CN108513679) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201780005986.3 出願日: 22.09.2017
公開番号: 108513679 公開日: 07.09.2018
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2017034250 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/308
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO LTD
三菱瓦斯化学株式会社
発明者: HORITA AKINOBU
堀田明伸
SHIMADA KENJI
岛田宪司
TAKAHASHI KENICHI
高桥健一
OIE TOSHIYUKI
尾家俊行
ITO AYA
伊藤彩
代理人: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
優先権情報: 2016-250545 26.12.2016 JP
発明の名称: (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
(ZH) 用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物和使用其的湿蚀刻方法
要約:
(EN) The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, comprising 0.1-50 mass% fluorine compound (A), 0.04-10 mass% oxidant (B) and water (D) andhaving pH in a range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching process for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, the process using the wet etching composition. The composition of the present invention can be used for a substrate having a SiN layer and a Si layer to enhance removal selectivity of Si over SiN while reducing corrosion of the device and the exhaust line and air pollution caused by a volatile component generated upon use and further a burden on the environment caused by the nitrogen content contained in the composition.
(ZH) 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物,所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1~50质量%、氧化剂(B)0.04~10质量%和水(D),并且pH处于2.0~5.0的范围。而且,本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物,减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷,并且对于具有SiN层和Si层的基板,可以提高Si相对于SiN的去除选择性。
また、:
KR1020180087420EP3389083US20190040317WO/2018/123166