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1. CN108292599 - Substrate liquid treatment device, substrate liquid treatment method, and memory medium

官庁 中華人民共和国
出願番号 201680068848.5
出願日 17.11.2016
公開番号 108292599
公開日 17.07.2018
公報種別 A
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306
H01L 21/304
CPC
H01L 21/6708
B08B 3/024
B08B 3/041
B08B 3/08
H01L 21/02057
H01L 21/30604
出願人 TOKYO ELECTRON LIMITED
东京毅力科创株式会社
発明者 KOSAI KAZUKI
小佐井一树
KAI YOSHIHIRO
甲斐義广
GOSHI GENTARO
五师源太郎
KOMIYA HIROSHI
小宫洋司
FUJIMOTO SEIYA
藤本诚也
OTSUKA TAKAHISA
大塚贵久
代理人 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
優先権情報 2015-228833 24.11.2015 JP
発明の名称
(EN) Substrate liquid treatment device, substrate liquid treatment method, and memory medium
(ZH) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
要約
(EN)
A substrate treatment device, provided with a substrate holding part (31) for holding a substrate (W); an outer nozzle (45) for discharging a treatment liquid toward the surface of the substrate froma position further on the outside than the outer peripheral edge of the substrate held by the substrate holding part, so that at least the center part of the surface of the substrate is covered by a liquid coat of the discharged treatment liquid; and an actuator (46, 90) capable of changing the height position or the elevation angle of the outer nozzle.

(ZH)
基板处理装置具备:基板保持部(31),其保持基板(W);外喷嘴(45),其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液;以及致动器(46、90),其能够变更外喷嘴的高度位置或俯仰角。