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1. (CN106103379) Sintered oxide, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using the same

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201580012927.X 出願日: 09.03.2015
公開番号: 106103379 公開日: 09.11.2016
公報種別: A
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2015056808 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
C04B 35/00
C23C 14/08
C23C 14/34
C23C 14/58
H01L 21/20
H01L 21/363
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
CPC:
H01L 21/02565
C04B 35/01
C04B 35/62218
C04B 35/62695
C04B 2235/3286
C04B 2235/3852
C04B 2235/5445
C04B 2235/604
C04B 2235/6562
C04B 2235/6565
C04B 2235/6583
C04B 2235/6585
C04B 2235/6586
C04B 2235/72
C04B 2235/722
C04B 2235/76
C04B 2235/762
C04B 2235/77
C04B 2235/80
C04B 2235/81
C23C 14/086
C23C 14/3407
C23C 14/3414
H01J 37/3426
H01L 21/02422
H01L 21/02631
H01L 21/02667
H01L 27/1225
H01L 29/221
H01L 29/66969
H01L 29/7869
H01L 29/78693
出願人: SUMITOMO METAL MINING CO.
発明者: NAKAYAMA TOKUYUKI
NISHIMURA EIICHIRO
IWARA MASASHI
優先権情報: 2014-052461 14.03.2014 JP
発明の名称: (EN) Sintered oxide, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using the same
(ZH) 氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜
要約:
(EN) Provided are a sintered oxide and a sputtering target using the sintered oxide. Low carrier concentration and high carrier mobility can be obtained when the sintered oxide is used to obtain an oxide semiconductor thin film by means of a sputtering method. This sintered oxide contains indium and gallium as oxides, contains nitrogen, and does not contain zinc. The gallium content in terms of the atomic ratio Ga/(In+Ga) is at least 0.005 but less than 0.20, and substantially no GaN phase is included. Furthermore, the sintered oxide preferably has no Ga2O3 phase. A crystalline oxide semiconductor thin film formed using the sintered oxide as a sputtering target yields a carrier concentration of 1.0*10<18> cm<-3> or less, and a carrier mobility of 10 cm<2>V<-1>sec<-1> or more.
(ZH) 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶,在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时,能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓,含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20,并且实质上不含GaN相。另外,所述氧化物烧结体优选不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下,载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
Also published as:
KR1020160106700US20170077243JPWO2015137274WO/2015/137274