国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。
この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。フィードバック & お問い合わせ
1. (CN105960701) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, CEILING PART, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 201580006962.0 出願日: 19.03.2015
公開番号: 105960701 公開日: 21.09.2016
特許番号: 105960701 特許付与日: 05.04.2019
公報種別: B
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2015058303 ; 公開番号:2015141792 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/22
H01L 21/316
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
CPC:
C23C 16/4411
C23C 16/4412
C23C 16/466
H01L 21/67109
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
株式会社国际电气
発明者: TAKEWAKI MOTOYA
竹胁基哉
KOSUGI TETSUYA
小杉哲也
UENO MASAAKI
上野正昭
代理人: 北京市金杜律师事务所 11256
優先権情報: 2014-058323 20.03.2014 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, CEILING PART, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(ZH) 衬底处理装置、顶棚部及半导体器件的制造方法
要約: front page image
(EN) The invention speedily reduces the internal furnace temperature while increasing temperature uniformity in a substrate surface. This invention has: a reaction tube for treating the substrate; a heating unit disposed on the outer periphery of the reaction tube, the heating unit heating the interior of the reaction tube; a heat insulation part disposed on the outer periphery of the heating unit; a plurality of channels provided to the heat insulation part, the channels channeling outside air or a cooling medium; and a ceiling part covering the upper surface of the heat insulation part. The ceiling part has: a first member having formed therein a feed port that communicates with the channels and feeds the outside air or the cooling medium to the channels; and a second member disposed on the first member, a space for channeling the outside air or the cooling medium being formed between the second member and the first member, the second member having formed thereon a partition part for dividing the space into at least two spaces.
(ZH) 本发明在提高衬底面内的温度均匀性的同时迅速地降低炉内温度。具有:反应管,其对衬底进行处理;加热部,其配置在反应管的外周,且对反应管内进行加热;隔热部,其配置在加热部的外周;流路,其在隔热部上设有多个,且供外部气体或冷却介质流通;和顶棚部,其将隔热部的上表面覆盖,顶棚部具有:第1部件,其形成有与流路连通且将外部气体或冷却介质向流路内供给的供给口;和第2部件,其配置在第1部件之上,在与第1部件之间形成有供外部气体或冷却介质流动的空间,并形成有将空间分割成至少两个空间的分隔部。
Also published as:
KR1020160118349US20160376701JPWO2015141792JP2018117141WO/2015/141792