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1. (CN105917021) Sputtering target of sintered Sb-Te-based alloy

官庁 : 中華人民共和国
出願番号: 112015000004783 出願日: 20.02.2015
公開番号: 105917021 公開日: 31.08.2016
公報種別: A
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2015054712 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
C23C 14/34
C22C 1/04
C22C 12/00
C22C 28/00
C22C 32/00
B22F 1/00
B22F 3/14
B22F 9/08
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
1
非鉄合金の製造
04
粉末冶金によるもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
12
アンチモンまたはビスマスを基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
28
グループ5/00から27/00に分類されない金属を基とする合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
32
その状態で加えたかまたは合金中で形成された酸化物,炭化物,ほう化物,窒化物,けい化物,またはその他の金属化合物,例.酸窒化物,硫化物,を5重量%以上50重量%未満含有する非鉄合金
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
1
金属質粉の特殊処理,例.加工を促進するためのもの,特性を改善するためのもの;金属粉それ自体,例.異なる組成の小片の混合
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
3
成形または焼結方法に特徴がある金属質粉からの工作物または物品の製造;特にそのために適した装置
12
成形と焼結の両者を特徴とするもの
14
両者を同時に行なうもの
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
9
金属質粉またはその懸濁液の製造;それに特に適する装置または機械
02
物理的プロセスを用いるもの
06
液体物質からはじまるもの
08
鋳造によるもの,例.ふるいを通してまたは水中への鋳造,アトマイズまたはスプレイによるもの
CPC:
H01J 37/3429
B22F 3/15
B22F 9/04
B22F 9/082
B22F 2009/044
B22F 2009/0848
C22C 1/04
C22C 12/00
C22C 28/00
C23C 14/0623
C23C 14/08
C23C 14/083
C23C 14/086
C23C 14/10
C23C 14/14
C23C 14/3414
出願人: JX NIPPON MINING AND METALS CORPORATION
発明者: KOIDO YOSHIMASA
優先権情報: 2014-061965 25.03.2014 JP
2014-061966 25.03.2014 JP
発明の名称: (EN) Sputtering target of sintered Sb-Te-based alloy
(ZH) Sb-Te基合金烧结体溅射靶
要約: front page image
(EN) A sputtering target of a sintered Sb-Te-based alloy which is a sputtering target having an Sb content of 10-60 at% and a Te content of 20-60 at%, the remainder comprising one or more elements selected from among Ag, In, and Ge and unavoidable impurities. The sputtering target is characterized in that the oxides have an average grain diameter of 0.5 [mu]m or smaller. The objective of the invention is to achieve an improved structure of the sputtering target of the sintered Sb-Te-based alloy so that the occurrence of arcing during sputtering is prevented and that a film to be deposited by the sputtering has improved thermal stability.
(ZH) 一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶,其为Sb含量为10~60原子%、Te含量为20~60原子%、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶,其特征在于,氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于,实现Sb‑Te基合金烧结体溅射靶组织的改善,防止溅射时电弧放电的发生,并且使溅射膜的热稳定性提高。
Also published as:
EP3048184SG11201604727UUS20160314945KR1020180052775WO/2015/146394