処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. JPWO2012011480 - 層間絶縁層形成方法

US20130130513INTERLAYER INSULATING LAYER FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Appl.Date 20.07.2011
出願番号 13811012 出願人 Kobayashi Yasuo 公報種別 A1
Inclusion Criteria IC2
PCT 出願の国内段階移行

元の PCT 出願の国内段階タブにこの出願が表示されない場合がありますが、その場合、国内段階移行後の書誌情報 (PCT や広域出願段階の出願または公開情報) から元の PCT 出願との関連性が特定されたものです。

公開日 23.05.2013
CN103026473层间绝缘层形成方法和半导体装置
Appl.Date 20.07.2011
出願番号 201180035567.7 出願人 东京毅力科创株式会社 公報種別 A 公開言語 zh
Inclusion Criteria IC2
PCT 出願の国内段階移行

元の PCT 出願の国内段階タブにこの出願が表示されない場合がありますが、その場合、国内段階移行後の書誌情報 (PCT や広域出願段階の出願または公開情報) から元の PCT 出願との関連性が特定されたものです。

公開日 03.04.2013
KR1020130041120층간 절연층 형성 방법 및 반도체 장치
Appl.Date 20.07.2011
出願番号 1020137001515 出願人 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 公報種別 A
Inclusion Criteria IC2
PCT 出願の国内段階移行

元の PCT 出願の国内段階タブにこの出願が表示されない場合がありますが、その場合、国内段階移行後の書誌情報 (PCT や広域出願段階の出願または公開情報) から元の PCT 出願との関連性が特定されたものです。

公開日 24.04.2013
WO/2012/011480INTERLAYER INSULATING LAYER FORMATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Appl.Date 20.07.2011
出願番号 PCT/JP2011/066395 出願人 KOBAYASHI, Yasuo 公報種別 A 公開言語 ja
Inclusion Criteria IC1
このパテント ファミリーの基礎となる PCT 出願
公開日 26.01.2012
JPWO2012011480層間絶縁層形成方法
Appl.Date 20.07.2011
出願番号 2012525404 出願人 東京エレクトロン株式会社 公報種別 A1 公開言語 ja
Inclusion Criteria IC2
PCT 出願の国内段階移行

元の PCT 出願の国内段階タブにこの出願が表示されない場合がありますが、その場合、国内段階移行後の書誌情報 (PCT や広域出願段階の出願または公開情報) から元の PCT 出願との関連性が特定されたものです。

公開日 26.01.2012