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1. WO2018207780 - カーボンナノチューブ膜、テラヘルツ波検出装置およびカーボンナノチューブ膜のPN接合形成方法

公開番号 WO/2018/207780
公開日 15.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/017797
国際出願日 08.05.2018
IPC
C01B 32/158 2017.1
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
32炭素;その化合物
15ナノサイズの炭素物質
158カーボンナノチューブ
C01B 32/159 2017.1
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
32炭素;その化合物
15ナノサイズの炭素物質
158カーボンナノチューブ
159シングルウォール
G01J 1/02 2006.1
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
02細部
G01N 21/3581 2014.1
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
17調査される材料の特性に応じて入射光が変調されるシステム
25色;スペクトル特性,すなわち2またはそれ以上の波長あるいは波長帯において材料が光に与える効果の比較
31特定の元素または分子を特徴づける波長における材料の相対的効果の調査,例.原子吸光分光
35赤外光を用いるもの
3581遠赤外光を用いるもの;テラヘルツ波を用いるもの
CPC
C01B 32/158
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
158Carbon nanotubes
C01B 32/159
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
158Carbon nanotubes
159single-walled
G01J 1/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
1Photometry, e.g. photographic exposure meter
02Details
G01N 21/3581
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
35using infra-red light
3581using far infra-red light; using Terahertz radiation
出願人
  • 国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP]/[JP]
  • 日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 河野 行雄 KAWANO Yukio
  • 鈴木 大地 SUZUKI Daichi
  • 落合 雄輝 OCHIAI Yuki
  • 長宗 勉 NAGAMUNE Tsutomu
代理人
  • 特許業務法人磯野国際特許商標事務所 ISONO INTERNATIONAL PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2017-09344509.05.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CARBON NANOTUBE FILM, TERAHERTZ WAVE DETECTION DEVICE, AND PN JUNCTION FORMING METHOD FOR CARBON NANOTUBE FILM
(FR) FILM DE NANOTUBES DE CARBONE, DISPOSITIF DE DÉTECTION D'ONDES TÉRAHERTZ ET MÉTHODE DE FORMATION DE JONCTION PN POUR FILM DE NANOTUBES DE CARBONE
(JA) カーボンナノチューブ膜、テラヘルツ波検出装置およびカーボンナノチューブ膜のPN接合形成方法
要約
(EN)
Provided are: a carbon nanotube film capable of controlling the Fermi levels of carbon nanotubes; a terahertz wave detection device; and a PN junction forming method for carbon nanotube films. The carbon nanotube film (10) comprises, inside the membrane: a P-type semiconductor region (11); an N-type semiconductor region (12); and a PN junction (13) at which the P-type semiconductor region (11) and the N-type semiconductor region (12) come in contact. The site at which the N-type semiconductor region (12) is formed comprises a complex of: carbon nanotubes; and a crown ether (30) containing an ion liquid (20) and/or cations. The terahertz wave detection device (100) comprises a first electrode (2) and a second electrode (3) arranged facing each other and sandwiching the PN junction (13) therebetween, upon a two-dimensional plane of the carbon nanotube film (10).
(FR)
L'invention concerne : un film de nanotubes de carbone capable de contrôler les niveaux de Fermi de nanotubes de carbone ; un dispositif de détection d'ondes térahertz ; et une méthode de formation de jonction PN pour des films de nanotubes de carbone. Le film de nanotubes de carbone (10) comprend, à l'intérieur de la membrane : une région semi-conductrice de type P (11) ; une région semi-conductrice de type N (12) ; et une jonction PN (13) au niveau de laquelle la région semi-conductrice de type P (11) et la région semi-conductrice de type N (12) viennent en contact. Le site au niveau duquel la région semi-conductrice de type N (12) est formée comprend un complexe de : nanotubes de carbone ; et d'un éther couronne (30) contenant un liquide ionique (20) et/ou des cations. Le dispositif de détection d'ondes térahertz (100) comprend une première électrode (2) et une seconde électrode (3) disposées l'une en face de l'autre et prenant en sandwich la jonction PN (13) entre elles, sur un plan bidimensionnel du film de nanotubes de carbone (10).
(JA)
カーボンナノチューブのフェルミ準位を制御することができるカーボンナノチューブ膜、テラヘルツ波検出装置およびカーボンナノチューブ膜のPN接合形成方法を提供する。カーボンナノチューブ膜(10)は、膜内に、P型半導体領域(11)、N型半導体領域(12)、および、P型半導体領域(11)とN型半導体領域(12)とが接するPN接合部(13)を備える。N型半導体領域(12)を形成する部位は、カーボンナノチューブと、イオン液体(20)および/またはカチオンを内包したクラウンエーテル(30)との複合体により形成される。また、テラヘルツ波検出装置(100)は、カーボンナノチューブ膜(10)の2次元平面上に、PN接合部(13)を挟んで対向配置された第1電極(2)および第2電極(3)と、を備える。
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