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1. (WO2008120482) 磁気ランダムアクセスメモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/120482    国際出願番号:    PCT/JP2008/050574
国際公開日: 09.10.2008 国際出願日: 18.01.2008
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATOU, Yuukou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KATOU, Yuukou; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2007-086567 29.03.2007 JP
2007-267765 15.10.2007 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ
要約: front page image
(EN)An MRAM comprises a magnetoresistance element (1). The magnetoresistance element (1) comprises a first magnetic material layer (10) including a first region (11) whose magnetization direction is reversible, a second magnetic material layer (30) whose magnetization direction is fixed in parallel with a magnetization easy axis direction of the first region (11), and a nonmagnetic material layer (20) sandwiched between the first magnetic material layer (10) and the second magnetic material layer (30). A domain wall (DW) is formed at at least one end of the first region (11) of the first magnetic material layer (10). The second magnetic material layer (30) is formed so as to overlap with the first region (11) and the one end. When data is written, a write current is applied between the first magnetic material layer (10) and the second magnetic material layer (30).
(FR)Selon l'invention, une mémoire vive magnétique (MRAM) comprend un élément de magnétorésistance (1). L'élément de magnétorésistance (1) comprend une première couche de matériau magnétique (10) comprenant une première région (11) dont la direction de magnétisation est réversible, une seconde couche de matériau magnétique (30) dont la direction de magnétisation est fixée en parallèle à une direction d'axe de magnétisation facile de la première région (11), et une couche de matériau non magnétique (20) prise en sandwich entre la première couche de matériau magnétique (10) et la seconde couche de matériau magnétique (30). Une paroi de domaine (DW) est formée à au moins une extrémité de la première région (11) de la première couche de matériau magnétique (10). La seconde couche de matériau magnétique (30) est formée de manière à chevaucher la première région (11) et l'extrémité. Lorsque des données sont écrites, un courant d'écriture est appliqué entre la première couche de matériau magnétique (10) et la seconde couche de matériau magnétique (30).
(JA) 本発明に係るMRAMは、磁気抵抗素子1を備える。磁気抵抗素子1は、磁化方向が反転可能な第1領域11を含む第1磁性体層10と、磁化方向が第1領域11の磁化容易軸方向と平行に固定される第2磁性体層30と、第1磁性体層10と第2磁性体層30に挟まれた非磁性体層20と、を有する。第1磁性体層10の第1領域11の少なくとも一端には、磁壁DWが形成される。第2磁性体層30は、第1領域11と上記一端にオーバーラップするように形成される。データ書き込み時、書き込み電流は、第1磁性体層10と第2磁性体層30との間に流される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)