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1. CN104114622 - Organic-inorganic composite thin film

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[ ZH ]

权利要求书

1.一种有机无机复合薄膜,其特征在于:
含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物5~30质量%、和b) 有机高分子化合物70~95质量%,
R n SiX 4-n (I)
式中,R表示碳原子与Si直接结合的有机基,X表示羟基或水解 性基,n表示1或2,n为2时,各R相同或不同,4-n为2以上时, 各X相同或不同,
在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成 的层,距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深 度的碳原子的浓度相比,少20%以上,并且,距离膜的表面2nm的深 度的O/Si元素比为1.8~2.5,距离表面100nm的深度的Si/C元素比为 0.2以下。

2.如权利要求1所述的有机无机复合薄膜,其特征在于:
还含有c)具有选自钛、锆、铝、硅、锗、铟、锡、钽、锌、钨和 铅的金属元素的金属化合物。

3.如权利要求1或2所述的有机无机复合薄膜,其特征在于:
式(I)中的R为乙烯基的化合物的缩合物的含量为有机硅化合物 的缩合物总体的70质量%以上。

4.如权利要求1~3中任一项所述的有机无机复合薄膜,其特征在 于:
在有机无机复合薄膜上还具有含有金属表面活性剂的水解缩合物 的层。

5.如权利要求4所述的有机无机复合薄膜,其特征在于:
金属表面活性剂为硅烷偶联剂。

6.一种有机无机复合薄膜的处理方法,其特征在于:
对含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物5~30质量%、和 b)有机高分子化合物70~95质量%的有机无机复合薄膜实施等离子体 处理或UV臭氧处理,
R n SiX 4-n (I)
式中,R表示碳原子与Si直接结合的有机基,X表示羟基或水解 性基,n表示1或2,n为2时,各R相同或不同,4-n为2以上时, 各X相同或不同。