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1. WO2006132131 - チップ抵抗器およびその製造方法

注意: このテキストは、OCR 処理によってテキスト化されたものです。法的な用途には PDF 版をご利用ください。

[ JA ]

請求の範囲

[1] 大判基板の表裏両面に V字溝である一次分割溝と二次分割溝が格子状に形成さ れており、この大判基板を前記一次分割溝と前記二次分割溝に沿って順次分割する ことにより多数個分が一括して製造される角形のチップ抵抗器において、

長手方向に直交する断面の形状を略正方形となした四角柱状の絶縁性基台と、こ の絶縁性基台の略長方形な表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と 、前記絶縁性基台の表面に設けられて両端部が前記一対の表面電極と重なり合う抵 抗体と、この抵抗体を被覆する保護層と、前記絶縁性基台の裏面の長手方向両端 部に設けられた一対の裏面電極と、前記絶縁性基台の略正方形な両端面に設けら れて前記表面電極および前記裏面電極を橋絡する一対の端面電極とを備え、 前記二次分割溝の一部として前記絶縁性基台の裏面の長手方向に沿う両側縁部 に形成されている傾斜面に前記裏面電極を延在させたことを特徴とするチップ抵抗

[2] 請求項 1の記載において、前記傾斜面を、前記二次分割溝の一部として前記絶縁 性基台の表面の長手方向に沿う両側縁部に形成されている傾斜面よりも大きくしたこ とを特徴とするチップ抵抗器。

[3] 表裏両面に V字溝である一次分割溝および二次分割溝が格子状に形成された大 判基板の表面に、前記一次分割溝を横切って前記二次分割溝に隣接する表面電極 を多数形成すると共に、前記大判基板の裏面に前記二次分割溝を横切って前記一 次分割溝に隣接する裏面電極を多数形成する電極形成工程と、

前記大判基板の表面に両端部が前記表面電極と重なり合う抵抗体を多数形成す る抵抗体形成工程と、

前記抵抗体を被覆する保護層を形成する保護層形成工程と、

前記保護層を形成した前記大判基板を前記一次分割溝に沿って短冊状に分割し た後、その分割面に端面電極を形成して前記表面電極および前記裏面電極を橋絡 する端面電極形成工程と、

前記端面電極を形成した前記短冊状基板を前記二次分割溝に沿って四角柱状の 個片に分割した後、各個片の前記表面電極と裏面電極および端面電極をメツキして チップ抵抗器となす電極メツキ工程とを備え、

前記大判基板は前記一次分割溝および二次分割溝によって区画された個々の長 方形の短辺の長さと該大判基板の厚みとが略同等に設定してあり、かつ、前記電極 形成工程では、前記二次分割溝として前記大判基板の前記裏面電極側の面に存す る V字溝の傾斜面に該裏面電極を延在させるようにしたことを特徴とするチップ抵抗 器の製造方法。

[4] 請求項 3の記載において、前記二次分割溝の深さは、前記大判基板の表面に形成 されている二次分割溝よりも裏面に形成されている二次分割溝の方が深いことを特 徴とするチップ抵抗器の製造方法。

[5] 請求項 3または 4の記載にぉ、て、前記端面電極形成工程では、前記端面電極を スパッタリングによって薄膜形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。