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1. WO2004070868 - リグニン誘導体を用いた光電変換素子及び光電気化学電池

注意: このテキストは、OCR 処理によってテキスト化されたものです。法的な用途には PDF 版をご利用ください。

[ JA ]

請求の範囲

1. 以下の(a) 〜(e) からなる群から選択される 1種あるいは 2種以上のリ ダニン誘導体によって増感された半導体膜を用いた光電変換素子。

(a) リグニン含有材料をフヱノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して 得られるリグニンのフエノール化合物誘導体であるリグノフエノール誘導体

( b) リグノフエノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される〗種の反応を行って得られる二次誘導体

(c) リグノフ工ノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 2種以上の反応を行って得られる高次誘導体

(d) 前記二次誘導体のうち架橋性基導入反応により得られる二次誘導体が架 橋されている二次誘導体の架橋体

(e) 前記高次誘導体のうち、架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体が 架橋されている高次誘導体の架橋体

2. 光電変換素子であって、

前記半導体膜は、リグノフエノール誘導体で増感されている、請求項 1記載の 素子。

3. 前記フエノール化合^は、 p—クレゾ一ル、 2, 6 _キシレノール、 2, 4 一キシレノール、 2—メ卜キシフエノール、 2, 6—ジメトキシフエノール、力 テコール、レゾルシノール、ホモカテコール、ピロガロール、及びフロログルシ ノールから選択される 1種あるいは 2種以上である、請求項 1又は 2に記載の素 子。

4. 前記フエノール化合物は、 p—クレゾールである、請求項 1又は 2に記載の 素子。

5 . 前記リグノフエノール誘導体は、ァリールプロパンユニットの C 1位の ^素 にフエノール化合物のつ ール性水酸基に対してオル卜位の炭素原子が結合し たオル卜位結合 1, 1 一ビス (ァリール) プロパンユニットおよび 7またはパラ 位の炭素原子が結合したパラ位結合 1, 1 —ビス(ァリール)プロパンユニット を有する、請求項 1〜4のいずれかに記載の素子。

6 . 前記半導体膜は、前記リグニン誘導体とともに有機材料及び又は無機材料 を含有するセルロース系材料、セラミックス系材料、金属系材料及びガラス系材 料から選択される 1種あるいは 2種以上の材料を含有する、請求項 1〜5のいず れかに記載の素子。

7 . 前記リグニン誘導体は、加熱、光照射、及び放射線照射から選択される 1種 あるいは 2種以上のエネルギー照射がなされている、請求項 1〜 6のいずれかに 記載の素子。

8 . 前記半導体膜は、前記リグニン誘導体とともに、セルロース系材料、リグ二 ン系材料、及びポリフエノール系材料を含有するリグノセルロース系材料由来の 有機材料又はその誘導体を含有する、請求項 1〜 7のいずれかに記載の素子。

9 . 光電変換素子の製造方法であって、

以下の(a ) 〜(e );

( a ) リグニン含有材料をフエノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して リグニンのフェノール化合物誘導体であるリグノフエノール誘導体を製造するェ 程

( b ) リグノフ; Lノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 1種の反応を行って二次誘導体を製造する工程

( c ) リグノフエノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 2種以上の反応を行って高次誘導体を製造する工程

( d ) 前記二次誘導体のうち架橋性基導入反応により得られる二次誘導体を架 橋して二次誘導体の架橋体を製造する工程

( e ) 前記高次誘導体のうち架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体を架 橋して高次誘導体の架橋体を製造する工程

からなる群から選択される 1種あるいは 2種以上のリグニン誘導体の製造工程と、 前記製造工程によリ製造したリダニン誘導体を用いて半導体膜を調製する工程 と、

を備 、製造方法。

1 0 .請求項 1〜 8のいずれかに記載の光電変換素子を備える、光電気化学電池。

1 1 . 以下の(a ) 〜(e ) からなる群から選択される 1種あるいは 2種以上の リダニン誘導体によって増感された半導体粒子。

( a ) リグニン含有材料をフエノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して 得られるリダニンのフエノール化合物誘導体であるリダノフエノール誘導体

( b ) リグノフエノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 1種の反応を行って得られる二次誘導体

( c ) リグノフエノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 2種以上の反応を行って得られる高次誘導体

( d ) 前記二次誘導体のうち架橋性基導入反応により得られる二次誘導体が架 嬌されている二次誘導体の桀橋体

( e ) 前記高次誘導体のうち、架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体が 架橋されている高次誘導体の架橋体

〗 2 . 以下の(a ) 〜(e ) からなる群から選択される 1種あるいは 2種以上の リグニン誘導体である、光増感剤。

( a ) リグニン含有材料をフエノール化合物で溶媒和後、酸を添加し混合して 得られるリグニンのフエノ一ル化合物の誘導体であるリグノフエノール誘導体

( b ) リグノフエノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシル基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 1種の反応を行って得られる二次誘導体

( c ) リグノフエノール誘導体に対して、ァシル基導入反応、カルボキシノレ基 導入反応、アミド基導入反応、架橋性基導入反応及びアルカリ処理反応から選択 される 2種以上の反応を行って得られる高次誘導体

( d ) 前記二次誘導体のうち架橋性基導入反応によリ得られる二次誘導体が架 橋されている二次誘導体の架橋体

( e ) 前記高次誘導体のうち、架橋性基導入反応を経て得られる高次誘導体が 架橋されている高次誘導体の架橋体