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1. (WO2013125157) シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置

Pub. No.:    WO/2013/125157    International Application No.:    PCT/JP2013/000276
Publication Date: Fri Aug 30 01:59:59 CEST 2013 International Filing Date: Wed Jan 23 00:59:59 CET 2013
IPC: C30B 29/06
C30B 15/26
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: MASUDA, Naoki
増田 直樹
YANAGIMACHI, Takahiro
柳町 隆弘
Title: シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置
Abstract:
 本発明は、CZシリコン単結晶を引上げる際に、シリコン融液面の高さ位置を算出する方法であって、シリコン単結晶に対して任意の角度に設置したCCDカメラを用い、シリコン融液とシリコン単結晶との境界のフュージョンリングから計測した第一の結晶直径と、シリコン単結晶の結晶直径の両端に向かって各々平行に設置した2台のCCDカメラを用いて計測した第二の結晶直径を求め、該第一の結晶直径と第二の結晶直径の差から、シリコン単結晶引上げ中におけるルツボ内のシリコン融液面の高さ位置を算出するシリコン融液面の高さ位置の算出方法を提供する。これにより、シリコン単結晶を引上げているときのシリコン融液面の高さ位置をより正確に算出することができる方法が提供される。