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1. WO2010119952 - 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの製造方法

国内段階移行に関する情報(詳細)
官庁移行日国内番号国内ステータス
中華人民共和国 16.04.2010201080026144.4
アメリカ合衆国 14.10.201113264599Published: 16.02.2012
欧州特許庁(EPO) 28.10.20112010764534Published: 22.02.2012
Withdrawn: 28.02.2013