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1. WO2021065619 - 研磨パッド及び研磨加工物の製造方法

公開番号 WO/2021/065619
公開日 08.04.2021
国際出願番号 PCT/JP2020/035787
国際出願日 23.09.2020
IPC
B24B 37/013 2012.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
005ラッピング機械または装置の制御手段
013ラッピングの完了を検知する装置または手段
B24B 37/24 2012.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
11ラップ工具
20平面を加工するためのラッピングパッド
24パッドの材料の組成または特性に特徴のあるもの
B24B 49/04 2006.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
49研削工具または工作物の送り運動を制御するための計測装置;指示または計測装置の構成,例.研削開始を指示するもの
02連続的または間欠的に測定される工作物の実寸法および必要寸法に応じて制御するもの
04研削時に研削位置で工作物を測定するもの
B24B 49/16 2006.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
49研削工具または工作物の送り運動を制御するための計測装置;指示または計測装置の構成,例.研削開始を指示するもの
16研削中の負荷を考慮したもの
H01L 21/304 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C08L 33/02 2006.1
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
33ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,またはその塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
02酸の単独重合体または共重合体;その金属塩またはアンモニウム塩
CPC
B24B 37/013
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
005Control means for lapping machines or devices
013Devices or means for detecting lapping completion
B24B 37/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
24characterised by the composition or properties of the pad materials
B24B 49/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
49Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
02according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
04involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
B24B 49/16
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
49Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
16taking regard of the load
C08L 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
33Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
02Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 富士紡ホールディングス株式会社 FUJIBO HOLDINGS, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 松岡 立馬 MATSUOKA, Ryuma
  • 栗原 浩 KURIHARA, Hiroshi
  • 鳴島 さつき NARUSHIMA, Satsuki
  • ▲高▼見沢 大和 TAKAMIZAWA, Yamato
代理人
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
優先権情報
2019-17950730.09.2019JP
2019-17954730.09.2019JP
2019-17957930.09.2019JP
2019-17966730.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR MANUFACTURING POLISHED PRODUCT
(FR) TAMPON DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PRODUIT POLI
(JA) 研磨パッド及び研磨加工物の製造方法
要約
(EN)
A polishing pad comprising a polishing layer and a base layer laminated on the polishing layer, the base layer including magnetic particles.
(FR)
L'invention concerne un tampon de polissage comprenant une couche de polissage et une couche de base stratifiée sur la couche de polissage, la couche de base comprenant des particules magnétiques.
(JA)
研磨層と、該研磨層上に積層された基材層と、を有し、前記基材層が、磁性体粒子を含む、研磨パッド。
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