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1. JP2020123610 - シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

官庁
日本
出願番号 2019012962
出願日 29.01.2019
公開番号 2020123610
公開日 13.08.2020
公報種別 A
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 7/22
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
20研削されるべき非金属物体の材質の特性に対する特別な設計により特徴づけられるもの
22無機材料,例.石,セラミック,磁器,を研削するもの
B24B 9/00
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
CPC
B24B 7/22
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
7Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
20characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
22for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
B24B 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人 SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD
信越半導体株式会社
発明者 KOIDE MASAMICHI
小出 真路
代理人 好宮 幹夫
小林 俊弘
発明の名称
(EN) MANUFACTURING METHOD OF SILICON WAFER AND THE SILICON WAFER
(JA) シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon wafer, capable of suppressing the generation of a projection causing a polishing remaining in an inclination part of a notch, and capable of preventing the generation of the projection-derived polishing remaining in the inclination part of the notch of a product wafer.

SOLUTION: A manufacturing method of a silicon wafer 20 includes: a chamfering step of the silicon wafer having a notch; a step of wrapping a main surface or chamfering both surfaces; an etching step; and a step of chamfering a mirror surface. In a cross section shape of a chamfering part 5 of the notch of the silicon wafer, when it is defined that an inclination angle for a first main surface of an inclination part 3 connected to a first main surface 1 of the silicon wafer is θ1, and the inclination angle for a second main surface of an inclination part 4 connected to a second main surface 2 is θ2, a chamfering process is performed so that the inclination angles θ1 and θ2 of each inclination part in the notch become 12° or less in the chamfering step.

SELECTED DRAWING: Figure 2

COPYRIGHT: (C)2020,JPO&INPIT

(JA)

【課題】研磨残りの原因となる突起がエッチングによりノッチの傾斜部に発生するのを抑制し、製品ウェーハのノッチの傾斜部に突起由来の研磨残りが発生するのを防止できるシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ノッチを有するシリコンウェーハ20の面取り工程と、主面のラッピング又は両面削工程と、エッチング工程と、鏡面面取り工程とを含むシリコンウェーハの製造方法であって、シリコンウェーハのノッチの面取り部5の断面形状において、シリコンウェーハの第1の主面1に接続する傾斜部3の第1の主面に対する傾斜角度をθ1、第2の主面2に接続する傾斜部4の第2の主面に対する傾斜角度をθ2と定義したとき、面取り工程において、ノッチにおける傾斜部の傾斜角度θ1およびθ2が12°以下となるように面取り加工を行う。
【選択図】図2

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