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1. CN102460712 - 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

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[ ZH ]

权利要求书

1.一种薄膜晶体管,其包括三个电极以及沟道层和栅极绝 缘膜这些元件,所述三个电极是源电极、漏电极和栅电极,其 中,所述沟道层由掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜形成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,通过 在含有氧气的氛围中溅射包含铟和钨和锌和/或锡的靶材而形 成所述掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管,其特征在于,在 不加热将形成有膜的基板的情况下通过溅射成膜并且在所述成 膜之后不进行退火处理而获得各所述元件。

4.一种双极性薄膜晶体管,其包括三个电极以及沟道层和 栅极绝缘膜这些元件,所述三个电极是源电极、漏电极和栅电 极,
其中,所述沟道层是包括有机材料膜和金属氧化物膜的堆 叠体,所述金属氧化物膜包含掺杂有钨、锡和钛中的至少一种 的铟,并且所述金属氧化物膜具有预控制的电阻率。

5.根据权利要求4所述的双极性薄膜晶体管,其特征在于, 所述有机材料膜包含F8T2、P3HT、并五苯和四苯并卟啉中的任 意一种。

6.根据权利要求4或5所述的双极性薄膜晶体管,其特征在 于,所述沟道层具有从所述栅电极侧顺序地堆叠的所述金属氧 化物膜和所述有机材料膜。

7.根据权利要求6所述的双极性薄膜晶体管,其特征在于, 所述源电极和所述漏电极被设置为与所述有机材料膜接触。

8.根据权利要求4-7中任一项所述的双极性薄膜晶体管, 其特征在于,所述金属氧化物膜包含不少于0.5wt%并且少于 15wt%的钨。

9.根据权利要求4-8中任一项所述的双极性薄膜晶体管, 其特征在于,所述金属氧化物膜的电阻率为10-1Ωcm至104Ωcm。

10.一种制造薄膜晶体管的方法,其包括通过溅射在基板 上形成预定图形的含铟的金属氧化物膜,所述溅射在含有氧气 的氛围中使用含铟靶材进行,使得沟道层、源电极、漏电极和 栅电极这些元件中的至少包括所述沟道层或所述沟道层的一部 分的一个或多个元件由所述含铟的金属氧化物膜形成,
其中,通过在不加热所述基板的情况下进行所述溅射而形 成所述金属氧化物膜,使得在所述基板上形成所述沟道层、所 述源电极、所述漏电极和所述栅电极这些元件,之后进行热处 理。

11.根据权利要求10所述的制造薄膜晶体管的方法,其特 征在于,通过使用掺杂有锡、钛、钨和锌中的一种或多种的氧 化铟烧结体作为靶材,通过形成掺杂有锡、钛、钨和锌中的一 种或多种的氧化铟膜而形成至少所述沟道层或所述沟道层的一 部分。

12.根据权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法,其特 征在于,通过使用In-W-Zn-O烧结体作为靶材,通过形成 In-W-Zn-O膜而形成至少所述沟道层或所述沟道层的一部分。

13.根据权利要求12所述的制造薄膜晶体管的方法,其特 征在于,通过调整用作靶材的In-W-Zn-O烧结体的W含量和/或 Zn含量进行特性控制。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的制造薄膜晶体管 的方法,其特征在于,具有将作为栅极绝缘膜的热氧化膜的硅 晶片用作也作为所述栅电极的基板,通过使用In-W-Zn-O烧结 体作为靶材在所述基板的热氧化膜上形成In-W-Zn-O膜从而形 成所述沟道层,并且通过使用ITO烧结体作为靶材而在所述沟 道层上形成ITO膜从而形成所述源电极和所述漏电极。

15.根据权利要求10至14中任一项所述的制造薄膜晶体管 的方法,其特征在于,在空气中以150℃至300℃进行所述热处 理10分钟至120分钟。