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1. JP2015177100 - 有機トランジスタ

官庁
日本
出願番号 2014053513
出願日 17.03.2014
公開番号 2015177100
公開日 05.10.2015
特許番号 6375654
特許付与日 03.08.2018
公報種別 B2
IPC
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/28
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/283
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
H01L 21/316
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/423
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
41その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
423整流,増幅またはスイッチされる電流を流さないもの
出願人 DENSO CORP
株式会社デンソー
発明者 KATO TETSUYA
加藤 哲弥
代理人 特許業務法人ゆうあい特許事務所
発明の名称
(EN) ORGANIC TRANSISTOR
(JA) 有機トランジスタ
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance mobility in an organic transistor where a self-organization single molecular layer is interposed between an organic semiconductor thin film and a gate insulator film.

SOLUTION: An organic transistor includes a substrate 11, a gate electrode 12 formed on the substrate 11, a gate insulator film 13 having a flat surface formed on the gate electrode 12 so as to cover the gate electrode 12, a self-organization single molecular layer 14 formed on the gate insulator film 13 in contact therewith, an organic semiconductor thin film 15 formed on the self-organization single molecular layer 14 in contact therewith, and a source electrode 16 and a drain electrode 17 formed on the self-organization single molecular layer 14 in contact with the organic semiconductor thin film 15, at positions corresponding to both ends of the gate electrode 12 so as to be spaced apart from each other. The gate insulator film 13 is composed of alumina, and the chlorine concentration in the alumina is 1×1020 atoms/cm3 or more.

COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT


(JA)

【課題】有機半導体薄膜とゲート絶縁膜との間に自己組織化単分子層を介在させてなる有機トランジスタにおいて、移動度の向上を図る。
【解決手段】基板11と、基板11の上に形成されたゲート電極12と、ゲート電極12の上においてゲート電極12を覆うように形成された表面が平坦であるゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13の上にてゲート絶縁膜13に接して形成された自己組織化単分子層14と、自己組織化単分子層14の上において自己組織化単分子層14に接して形成された有機半導体薄膜15と、自己組織化単分子層14の上において、ゲート電極12の両端と対応する位置に互いに離間するように形成されて有機半導体薄膜15に接するソース電極16およびドレイン電極17と、を備え、ゲート絶縁膜13はアルミナからなり、当該アルミナ中の塩素濃度が1×1020atoms/cm以上である。
【選択図】図1