Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Office : États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande : 13219118 Date de la demande : 26.08.2011
Numéro de publication : 20110318857 Date de publication : 29.12.2011
Numéro de délivrance : 09343622 Date de délivrance : 17.05.2016
Type de publication : B2
CIB :
H01L 33/12
H01L 33/00
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
12
ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants : Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
Inventeurs : Suk Hun Lee
Mandataires : Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
Données relatives à la priorité : 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
Titre : (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
Abrégé : front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


Également publié sous:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374