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1. JP2012169364 - PICKUP METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Office Japon
Numéro de la demande 2011027621
Date de la demande 10.02.2011
Numéro de publication 2012169364
Date de publication 06.09.2012
Numéro de délivrance 5727811
Date de délivrance 10.04.2015
Type de publication B2
CIB
H01L 21/52
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
Déposants LINTEC CORP
リンテック株式会社
Inventeurs SAEKI NAOYA
佐伯 尚哉
SHIZUHATA HIRONORI
賤機 弘憲
Mandataires 前田・鈴木国際特許業務法人
前田 均
鈴木 亨
Titre
(EN) PICKUP METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体チップのピックアップ方法および半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pickup method capable of holding a chip sufficiently during the dicing and subsequent storage or transport, and capable of high speed pickup.

SOLUTION: In the pickup method of a semiconductor chip, a semiconductor wafer is pasted to the adhesive layer of an adhesive sheet consisting of a substrate and the adhesive layer formed on the substrate peelably, the semiconductor wafer is diced to produce a semiconductor chip, and the semiconductor chip is peeled off from the substrate with the adhesive layer remaining on the rear surface of the semiconductor chip. The peel force (low speed peel force) between the substrate and the adhesive layer of the adhesive sheet at a peel angle of 90°, and a peel speed of 50 mm/min is 0.01-1 N/25 mm, and the peel force (high speed peel force) between the substrate and the adhesive layer of the adhesive sheet at a peel angle of 90°, and a peel speed of 500 mm/min is equal to or lower than the low speed peel force.

COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT

(JA)

【課題】ダイシング時およびその後の保管や移送の際にはチップを十分に保持でき、一方、ピックアップ時には高速化を可能にするピックアップ方法を提供する。
【解決手段】半導体チップのピックアップ方法は、基材と、基材上に剥離可能に形成された接着剤層とからなる接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離する半導体チップのピックアップ方法であって、接着シートの、剥離角90°、剥離速度50mm/分における基材と接着剤層との間の剥離力(低速剥離力)が0.01〜1N/25mmであり、接着シートの、剥離角90°、剥離速度500mm/分における基材と接着剤層との間の剥離力(高速剥離力)が低速剥離力以下であることを特徴としている。
【選択図】なし