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Paramétrages

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1. JP2005276673 - LPP TYPE EUV LIGHT SOURCE APPARATUS

Office Japon
Numéro de la demande 2004089310
Date de la demande 25.03.2004
Numéro de publication 2005276673
Date de publication 06.10.2005
Type de publication A
CIB
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
G
TECHNIQUE DES RAYONS X
2
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la production de rayons X, n'utilisant pas de tubes à rayons X, p.ex. utilisant la génération d'un plasma
G PHYSIQUE
21
PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
K
TECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
5
Dispositifs d'irradiation
08
Supports pour cibles ou pour objets à irradier
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
H05G 2/00
G21K 5/08
H01L 21/027
H05H 1/24
Déposants KOMATSU LTD
株式会社小松製作所
GIGAPHOTON INC
ギガフォトン株式会社
Inventeurs SUGANUMA TAKASHI
菅沼 崇
ABE TAMOTSU
阿部 保
Mandataires 宇都宮 正明
渡部 温
柳瀬 睦肇
Titre
(EN) LPP TYPE EUV LIGHT SOURCE APPARATUS
(JA) LPP型EUV光源装置
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LPP (laser-produced plasma) type EUV light source apparatus which increases an amount of EUV light radiation without increasing an amount of a target material.

SOLUTION: This apparatus converts a strength distribution of laser light irradiating the target material into a flat/top distribution so that the laser light has a necessary strength for plasma energization throughout the whole of the strength distribution.

COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】 LPP型EUV光源装置において、ターゲット材料の量を増加させることなく、EUV光の放射量を増加させる。
【解決手段】 ターゲット材料を照射するレーザ光の強度分布をフラット・トップ分布に変換し、レーザ光の強度分布全体がプラズマ化に必要な強度分布を持つようにする。
【選択図】 図2