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1. (JP2004064930) DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Office : Japon
Numéro de la demande : 2002221723 Date de la demande : 30.07.2002
Numéro de publication : 2004064930 Date de publication : 26.02.2004
Numéro de délivrance : 3883925 Date de délivrance : 21.02.2007
Type de publication : B2
CIB :
H01L 27/4
H02M 1/0
H01L 21/822
H02M 1/8
H03K 17/812
H03K 17/16
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
08
Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
[IPC code unknown for H03K 17/812]
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORP
三菱電機株式会社; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
Inventeurs : OI TAKESHI
大井 健史
NAKAYAMA YASUSHI
中山 靖
TANAKA TAKESHI
田中 毅
Données relatives à la priorité : 2002221723 30.07.2002 JP
Titre : (EN) DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 電力用半導体素子の駆動回路
Abrégé :
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that if a drive circuit for power semiconductor device is applied to an IGBT 1 high in breakdown voltage, diodes 5 high in the breakdown voltage must be connected in series in multiple stages, and this leads to an increase in the cost and degradation in reliability, short circuit detection by a collector voltage detection circuit 6 is significantly delayed, and the IGBT 1 cannot be protected sometimes.

SOLUTION: During a period for which a sampling circuit 16 permits detection of gate voltage Vge, the gate voltage Vge is detected. If the gate voltage Vge exceeds a reference value, an abnormality is recognized to have occurred in the IGBT 11.

COPYRIGHT: (C)2004,JPO
(JA)


【課題】耐圧の高いIGBT1に適用する場合、耐圧の高いダイオード5を多段に直列接続する必要が生じ、コスト高や信頼性の低下を招く課題があった。
また、コレクタ電圧検知回路6による短絡検知が著しく遅れ、IGBT1を保護することができない場合がある課題があった。
【解決手段】サンプリング回路16がゲート電圧Vgeの検出処理を許可する期間中、そのゲート電圧Vgeを検出して、そのゲート電圧Vgeが基準値を超えると、IGBT11における異常の発生を認定する。
【選択図】    図1


Également publié sous:
US20040027762