Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (EP1524702) Transistor a couche mince avec une connexion substrat

Office : Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande : 04090396 Date de la demande : 12.10.2004
Numéro de publication : 1524702 Date de publication : 20.04.2005
Type de publication : A3
CIB :
H01L 29/786
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
CPC :
H01L 29/78615
Déposants : SAMSUNG SDI CO LTD
Inventeurs : KOO JAE-BON
CHOI BYOUNG-DEOG
SO MYEONG-SEOB
KIM WON-SIK
Données relatives à la priorité : 1020030072337 16.10.2003 KR
Titre : (DE) Dünnschichttransistor mit Substratanschluss
(EN) Thin film transistor with body contact region
(FR) Transistor a couche mince avec une connexion substrat
Abrégé : front page image
(EN) A thin film transistor of the present invention comprises, an active layer formed on an insulating substrate and having a channel region and source/drain regions; a gate electrode formed corresponding to the channel region of the active region; a body contact region separately formed with the source/drain regions in the active layer; source/drain electrodes each connected to the source/drain regions; and a conductive wiring for connecting the body contact region and the gate electrode.