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1. (EP0561386) Dispositif semi-conducteur.

Office : Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande : 93104360 Date de la demande : 17.03.1993
Numéro de publication : 0561386 Date de publication : 22.09.1993
Type de publication : A1
États désignés : DE,FR,GB
CIB :
H 03K
H03K 17/0812
H03K 17/082
H03K 17/16
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
081
sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
0812
par des dispositions prises dans le circuit de commande
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
082
par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
CPC :
H03K 17/0828
H03K 17/08128
H03K 17/0822
H03K 17/168
H03K 17/18
Déposants : FUJI ELECTRIC CO LTD
Inventeurs : OGAWA SHOGO
MIYASAKA TADASHI
KOBAYASHI SHINICHI
KUWABARA KESANOBU
Données relatives à la priorité : 12521492 19.05.1992 JP
6225492 18.03.1992 JP
6596092 24.03.1992 JP
Titre : (DE) Halbleiteranordnung.
(EN) Semiconductor device.
(FR) Dispositif semi-conducteur.
Abrégé : front page image
(EN) A semiconductor device includes an insulated gate semiconductor portion (2) having a gate electrode (2g); an overcurrent limiting portion (12,13) for judging an overcurrent state of the insulated gate semiconductor portion (2) to make it possible to change a gate voltage applied to the gate electrode (2g); and a driving portion (30) for driving the insulated gate semiconductor portion (2). The driving portion (30) includes a driving section (20) for supplying a control voltage to the insulated gate semiconductor device (2) correspondingly to an input signal (I) supplied to the driving portion; and a comparing section (40) for comparing the gate voltage (VG) with a predetermined reference voltage (Vo). The semiconductor device may further include a gate control relaxation section (141) for relaxing a rate of change of the gate voltage (VG) applied to the gate electrode.