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1. (DE112013004659) Halbleiteransteuerungsvorrichtung

Office : Allemagne
Numéro de la demande : 112013004659 Date de la demande : 20.09.2013
Numéro de publication : 112013004659 Date de publication : 03.06.2015
Type de publication : B4
Référence PCT: Numéro de la demande :PCTJP2013075468 ; Numéro de publication :WO2014046238 Cliquer pour voir les données
CIB :
H03K 17/08
H02M 1/00
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Inventeurs : Koishi Ayuki
Osanai Yosuke, c/o TOYOTA JIDOSHA K.K.
Mandataires : TBK
Données relatives à la priorité : 2012209985 24.09.2012 JP
Titre : (DE) Halbleiteransteuerungsvorrichtung
Abrégé : front page image
(DE)

Halbleiteransteuerungsvorrichtung (10, 11, 12, 13) mit: einer Überstromerfassungseinheit (40), die konfiguriert ist, einen Überstrom zu erfassen, der zwischen einer ersten Hauptelektrode und einer zweiten Hauptelektrode eines Schaltelements (20, 21, 22) fließt; einer ersten Steuereinheit (50), die konfiguriert ist, wenn der Überstrom durch die Überstromerfassungseinheit erfasst wird, ein Gate des Schaltelements (20, 21, 22) mit einem vorbestimmten Bezugspotential leitend zu machen, eine zwischen dem Gate und der ersten Hauptelektrode anliegende Steuerspannung niedriger zu machen, indem ein Gesamtwiderstand zwischen dem Gate und dem Bezugspotential niedriger gemacht wird, und das Schaltelement (20, 21, 22) auszuschalten; einer Erfassungseinheit (R1, D1), die konfiguriert ist, einen Strom zu erfassen, der in Zusammenhang mit einer Aufladung oder Entladung einer Rückkopplungskapazität (Cres) zwischen dem Gate und der zweiten Hauptelektrode erzeugt wird, wobei der Strom in der Rückkopplungskapazität (Cres) zwischen dem Gate und der zweiten Hauptelektrode fließt, wenn der Überstrom zwischen der ersten Hauptelektrode und der zweiten Hauptelektrode fließt, falls eine Änderung einer Spannung zwischen der ersten Hauptelektrode und der zweiten Hauptelektrode vergleichsweise groß ist; und einer zweiten Steuereinheit (60), die konfiguriert ist, wenn der Überstrom durch die Überstromerfassungseinheit erfasst wird und der Strom, der in Zusammenhang mit der Aufladung oder Entladung der Rückkopplungskapazität erzeugt wird, durch die Erfassungseinheit erfasst wird, einen Widerstandswert zwischen dem Gate und dem Bezugspotential niedriger zu machen, und das Schaltelement (20, 21, 22) auszuschalten, wobei der durch die zweite Steuereinheit (60) niedriger gemachte Widerstandswert einen Wert aufweist, der kleiner ist als derjenige des durch die erste Steuereinheit (50) niedriger gemachten Widerstandswerts, sodass der durch die zweite Steuereinheit (60) niedriger gemachte Widerstandswert effektiv ist zum schnellen Ausschalten des Schaltelements (20, 21, 22), falls eine Änderung der Spannung zwischen der ersten ...