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Paramétrages

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1. CN103681471 - 具有双重图案化金属层结构的位格

Office Chine
Numéro de la demande 201310410115.3
Date de la demande 10.09.2013
Numéro de publication 103681471
Date de publication 26.03.2014
Numéro de délivrance 103681471
Date de délivrance 01.03.2017
Type de publication B
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8244
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 21/768
H01L 21/8244
H01L 27/11
H01L 23/528
CPC
H01L 23/5386
H01L 27/0207
H01L 27/11
H01L 27/1104
H01L 2924/0002
Déposants 格罗方德半导体公司
Inventeurs J·金
M·拉希德
Mandataires 北京戈程知识产权代理有限公司 11314
北京戈程知识产权代理有限公司 11314
Données relatives à la priorité 13617853 14.09.2012 US
Titre
(ZH) 具有双重图案化金属层结构的位格
Abrégé
(ZH)
本发明涉及具有双重图案化金属层结构的位格,揭示一种用于提供具有双重图案化金属层结构的SRAM位格的方法。具体实施例包括:经由第一图案化制程,提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合;以及经由第二图案化制程,提供紧邻该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合的位线结构。具体实施例包括:提供作为该字线结构的第一接着垫,以及作为该接地线结构的第二接着垫;以及提供有第一端边及第一侧边的该第一接着垫,以及有第二端边及第二侧边的该第二接着垫,其中该第一侧边面向该第二侧边。

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