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1. (CN101796720) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry

Office : Chine
Numéro de la demande : 200880105804.0 Date de la demande : 21.07.2008
Numéro de publication : 101796720 Date de publication : 04.08.2010
Type de publication : A
Référence PCT: Numéro de la demande :PCTUS2008070622 ; Numéro de publication :2009035767 Cliquer pour voir les données
CIB :
H03F 1/56
H03H 7/38
H03H 11/28
H03F 3/19
H03F 3/193
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7
Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
38
Réseaux d'adaptation d'impédance
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11
Réseaux utilisant des éléments actifs
02
Réseaux à plusieurs accès
28
Réseaux d'adaptation d'impédance
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193
comportant des dispositifs à effet de champ
CPC :
H03F 1/565
H03F 3/1935
H03F2200/222
H03F2200/228
H03F2200/249
H03F2200/252
H03F2200/451
H03F2200/99
H03H 7/38
Déposants : Raytheon Co.
雷声公司
Inventeurs : Tremblay John C.
C·S·惠兰
Whelan Colin S.
J·C·特伦布莱
Mandataires : liu yu wang yang
永新专利商标代理有限公司 72002
永新专利商标代理有限公司 72002
Données relatives à la priorité : 11851425 07.09.2007 US
Titre : (EN) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry
(ZH) 晶体管功率放大器的输入电路和设计这种电路的方法
Abrégé : front page image
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(ZH)

一种电路具有:输入匹配网络;晶体管(14),其耦合到所述输入匹配网络的输出;并且其中,当向所述输入匹配网络(12)馈送具有相对低的功率电平的输入信号时,所述输入匹配网络(12)具有第一输入阻抗,并且其中,当向所述输入匹配网络(12)馈送具有相对高的功率电平的输入信号时,所述输入匹配网络(12)具有不同于所述第一输入阻抗的输入阻抗。


Également publié sous:
CN105305986IN887/KOLNP/2010JP2010538582KR1020100063767