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1. WO2023278474 - CAPTEUR DE CONCENTRATION POUR SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE PRÉCURSEUR

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Numéro de publication WO/2023/278474
Date de publication 05.01.2023
N° de la demande internationale PCT/US2022/035352
Date du dépôt international 28.06.2022
CIB
C23C 16/448 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
448caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/52 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
52Commande ou régulation du processus de dépôt
G05D 11/13 2006.1
GPHYSIQUE
05COMMANDE; RÉGULATION
DSYSTÈMES DE COMMANDE OU DE RÉGULATION DES VARIABLES NON ÉLECTRIQUES
11Commande du rapport des débits
02Commande du rapport des débits de plusieurs matériaux fluides ou fluents
13caractérisée par l'usage de moyens électriques
CPC
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
G01F 1/74
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
1Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through the meter in a continuous flow
74Devices for measuring flow of a fluid or flow of a fluent solid material in suspension in another fluid
G01N 11/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
11Investigating flow properties of materials, e.g. viscosity, plasticity; Analysing materials by determining flow properties
02by measuring flow of the material
G01N 33/0016
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
0011Sample conditioning
0016by regulating a physical variable, e.g. pressure, temperature
G01N 33/0073
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
0073Control unit therefor
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SHAH, Vivek, B.
  • CHAKARIAN, Varoujan
  • UMMETHALA, Upendra
Mandataires
  • KIMES, Benjamin, A.
  • PORTNOVA, Marina
  • THEVENIN, Spencer, J.
Données relatives à la priorité
17/365,90601.07.2021US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONCENTRATION SENSOR FOR PRECURSOR DELIVERY SYSTEM
(FR) CAPTEUR DE CONCENTRATION POUR SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE PRÉCURSEUR
front page image
Abrégé
(EN) A concentration sensor assembly can include a vaporization chamber having a compound. The concentration sensor assembly may include a first flow path coupled to the vaporization chamber. The first flow path may direct a first gas to the vaporization chamber. A second flow path can direct a second gas out of the vaporization chamber. The second gas can include the compound and the first gas. A first sensor is disposed along the first flow path. The first sensor measures first data indicative of a first mass flow rate of the first gas. A second sensor is disposed along the second flow path. The second sensor measure second data indicative of a second mass flow rate of the second gas. A computing device may determine a concentration of the vaporizable substance within the second gas based on the first data and the second data.
(FR) L'invention concerne un ensemble capteur de concentration pouvant comprendre une chambre de vaporisation comportant un composé. L'ensemble capteur de concentration peut comprendre un premier trajet d'écoulement raccordé à la chambre de vaporisation. Le premier trajet d'écoulement peut diriger un premier gaz vers la chambre de vaporisation. Un second trajet d'écoulement peut diriger un second gaz hors de la chambre de vaporisation. Le second gaz peut comprendre le composé et le premier gaz. Un premier capteur est disposé le long du premier trajet d'écoulement. Le premier capteur mesure des premières données indiquant un premier débit massique du premier gaz. Un second capteur est disposé le long du second trajet d'écoulement. Le second capteur mesure des secondes données indiquant un second débit massique du second gaz. Un dispositif informatique peut déterminer une concentration de la substance vaporisable dans le second gaz sur la base des premières données et des secondes données.
Documents de brevet associés
US20230003704
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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