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1. WO2023027931 - PROCÉDÉS ET SYSTÈMES POUR SÉLECTIONNER DES EMPLACEMENTS DE PLAQUETTE AFIN DE CARACTÉRISER DES VARIATIONS INTER-PLAQUETTES SUR LA BASE DE SIGNAUX DE MESURE À HAUT DÉBIT

Numéro de publication WO/2023/027931
Date de publication 02.03.2023
N° de la demande internationale PCT/US2022/040674
Date du dépôt international 18.08.2022
CIB
G01N 21/95 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
G01N 21/956 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956Inspection de motifs sur la surface d'objets
G01N 21/88 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
G01B 11/24 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
24pour mesurer des contours ou des courbes
H01L 21/66 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
Déposants
  • KLA CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • LIN, Brian C.
  • LI, Jiqiang
  • WU, Song
  • ZHAN, Tianrong
  • LAGODZINSKI, Andrew
Mandataires
  • MCANDREWS, Kevin
  • SPURLOCK, Justin Delorean
  • KOSCIELNY, Jeremy
Données relatives à la priorité
17/506,20120.10.2021US
63/236,79725.08.2021US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND SYSTEMS FOR SELECTING WAFER LOCATIONS TO CHARACTERIZE CROSS-WAFER VARIATIONS BASED ON HIGH-THROUGHPUT MEASUREMENT SIGNALS
(FR) PROCÉDÉS ET SYSTÈMES POUR SÉLECTIONNER DES EMPLACEMENTS DE PLAQUETTE AFIN DE CARACTÉRISER DES VARIATIONS INTER-PLAQUETTES SUR LA BASE DE SIGNAUX DE MESURE À HAUT DÉBIT
Abrégé
(EN) Methods and systems for selecting measurement locations on a wafer for subsequent detailed measurements employed to characterize the entire wafer are described herein. High throughput measurements are performed at a relatively large number of measurement sites on a wafer. The measurement signals are transformed to a new mathematical basis and reduced to a significantly smaller dimension in the new basis. A set of representative measurement sites is selected based on analyzing variation of the high throughput measurement signals. In some embodiments, the spectra are subdivided into a set of different groups. The spectra are grouped together to minimize variance within each group. Furthermore, a die location is selected that is representative of the variance exhibited by the die in each group. A spectrum of a measurement site and corresponding wafer location is selected to correspond most closely to the center point of each cluster.
(FR) Des procédés et des systèmes pour sélectionner des emplacements de mesure sur une plaquette pour des mesures détaillées ultérieures utilisées afin de caractériser la plaquette dans son ensemble sont décrits dans la présente invention. Des mesures à haut débit sont effectuées au niveau d'un nombre relativement important de sites de mesure sur une plaquette. Les signaux de mesure sont transformés en une nouvelle base mathématique et réduits à une dimension considérablement plus petite dans la nouvelle base. Un ensemble de sites de mesure représentatifs est sélectionné sur la base d'une analyse d'une variation des signaux de mesure à haut débit. Dans certains modes de réalisation, les spectres sont subdivisés en un ensemble de groupes différents. Les spectres sont regroupés pour réduire au minimum la variance au sein de chaque groupe. En outre, un emplacement de puce est sélectionné, qui représente la variance présentée par la puce dans chaque groupe. Un spectre d'un site de mesure et d'un emplacement de plaquette correspondant est sélectionné pour correspondre le plus étroitement au point central de chaque grappe.
Documents de brevet associés
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