(EN) Methods and systems for selecting measurement locations on a wafer for subsequent detailed measurements employed to characterize the entire wafer are described herein. High throughput measurements are performed at a relatively large number of measurement sites on a wafer. The measurement signals are transformed to a new mathematical basis and reduced to a significantly smaller dimension in the new basis. A set of representative measurement sites is selected based on analyzing variation of the high throughput measurement signals. In some embodiments, the spectra are subdivided into a set of different groups. The spectra are grouped together to minimize variance within each group. Furthermore, a die location is selected that is representative of the variance exhibited by the die in each group. A spectrum of a measurement site and corresponding wafer location is selected to correspond most closely to the center point of each cluster.
(FR) Des procédés et des systèmes pour sélectionner des emplacements de mesure sur une plaquette pour des mesures détaillées ultérieures utilisées afin de caractériser la plaquette dans son ensemble sont décrits dans la présente invention. Des mesures à haut débit sont effectuées au niveau d'un nombre relativement important de sites de mesure sur une plaquette. Les signaux de mesure sont transformés en une nouvelle base mathématique et réduits à une dimension considérablement plus petite dans la nouvelle base. Un ensemble de sites de mesure représentatifs est sélectionné sur la base d'une analyse d'une variation des signaux de mesure à haut débit. Dans certains modes de réalisation, les spectres sont subdivisés en un ensemble de groupes différents. Les spectres sont regroupés pour réduire au minimum la variance au sein de chaque groupe. En outre, un emplacement de puce est sélectionné, qui représente la variance présentée par la puce dans chaque groupe. Un spectre d'un site de mesure et d'un emplacement de plaquette correspondant est sélectionné pour correspondre le plus étroitement au point central de chaque grappe.
