(EN) The amount of time needed to write data is reduced. This memory device has: a magnetic memory element provided with a reference layer of which the magnetization direction is fixed and a storage layer of which the magnetization direction can be reversed and which is stacked on the reference layer with an insulating layer therebetween, the magnetic memory element associating and storing data in two states, specifically a parallel alignment state in which the magnetization directions of the reference layer and the storage layer are the same, and an anti-parallel alignment state in which the magnetization directions of the reference layer and the storage layer are different; an auxiliary magnetic field application section that applies an auxiliary magnetic field for assisting the transition of the magnetic memory element from the parallel alignment state to the anti-parallel alignment state; and a writing control unit that performs initialization in which an initialization voltage and an initialization magnetic field are applied to the magnetic memory element to bring the magnetic memory element into the anti-parallel alignment state, and writing in which, in accordance with data, a state reversal is carried out to apply, to the initialized magnetic memory element, a state reversal voltage and a state reversal magnetic field for bringing the magnetic memory element in the anti-parallel alignment state to the parallel alignment state.
(FR) La quantité de temps nécessaire pour écrire des données est réduite. L'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant : un élément de mémoire magnétique pourvu d'une couche de référence dont la direction de magnétisation est fixe et d'une couche de stockage dont la direction de magnétisation peut être inversée et qui est empilée sur la couche de référence avec une couche isolante entre elles, l'élément de mémoire magnétique associant et stockant des données dans deux états, spécifiquement un état d'alignement parallèle dans lequel les directions de magnétisation de la couche de référence et de la couche de stockage sont identiques, et un état d'alignement antiparallèle dans lequel les directions de magnétisation de la couche de référence et de la couche de stockage sont différentes ; une section d'application de champ magnétique auxiliaire qui applique un champ magnétique auxiliaire pour aider à la transition de l'élément de mémoire magnétique de l'état d'alignement parallèle à l'état d'alignement antiparallèle ; et une unité de commande d'écriture qui effectue une initialisation dans laquelle une tension d'initialisation et un champ magnétique d'initialisation sont appliqués à l'élément de mémoire magnétique pour amener l'élément de mémoire magnétique dans l'état d'alignement antiparallèle, et une écriture dans laquelle, conformément à des données, une inversion d'état est réalisée pour appliquer, à l'élément de mémoire magnétique initialisé, une tension d'inversion d'état et un champ magnétique d'inversion d'état pour amener l'élément de mémoire magnétique dans l'état d'alignement antiparallèle à l'état d'alignement parallèle.
(JA) データの書込みに要する時間を短縮する。メモリ装置は、磁化の方向が固定された参照層及び絶縁層を介して参照層に積層される磁化の方向が反転可能な記憶層を備え、参照層及び記憶層の磁化の方向が同じ状態である平行配列状態と参照層及び記憶層の磁化の方向が異なる状態である反平行配列状態との２つの状態にデータを対応させて記憶する磁気メモリ素子と、磁気メモリ素子の平行配列状態から反平行配列状態への移行を補助する補助磁場を印加する補助磁場印加部と、磁気メモリ素子に初期化電圧及び初期化磁場を印加して反平行配列状態にする初期化と、反平行配列状態の磁気メモリ素子を平行配列状態にするための状態反転電圧及び状態反転磁場を初期化された磁気メモリ素子に印加する状態反転をデータに応じて行う書込みとを行う書込制御部とを有する。
