(EN) A display panel (100): a thin film transistor layer (12) comprises first stacked structures (de1) and second stacked structures (de2); the first stacked structures (de1) and the second stacked structures (de2) are arranged corresponding to the same openings (151); the first stacked structures (de1) comprise a conductive layer (12a) and an insulating layer (12b); the second stacked structures (de2) comprise a compensation layer (12c) and the insulating layer (12b); the number of layers of the conductive layer (12a) of the first stacked structures (de1) is greater than the number of layers of the conductive layer (12a) of the second stacked structures (de2); the compensation layer (12c) is used for increasing the height of the second stacked structures (de2); and a planar layer (13) covers the thin film transistor layer (12).
(FR) La présente invention concerne un panneau d'affichage (100) : une couche de transistor en couches minces (12) comprenant des premières structures empilées (de1) et des secondes structures empilées (de2) ; les premières structures empilées (de1) et les secondes structures empilées (de2) étant agencées de manière à correspondre aux mêmes ouvertures (151) ; les premières structures empilées (de1) comprenant une couche conductrice (12a) et une couche isolante (12b) ; les secondes structures empilées (de2) comprenant une couche de compensation (12c) et la couche isolante (12b) ; le nombre de couches de la couche conductrice (12a) des premières structures empilées (de1) étant supérieur au nombre de couches de la couche conductrice (12a) des secondes structures empilées (de2) ; la couche de compensation (12c) étant utilisée pour augmenter la hauteur des secondes structures empilées (de2) ; et une couche plane (13) recouvrant la couche de transistor à couches minces (12).
(ZH) 一种显示面板(100)，薄膜晶体管层(12)包括第一堆叠结构(de1)和第二堆叠结构(de2)，第一堆叠结构(de1)和第二堆叠结构(de2)对应于同一开口(151)设置，第一堆叠结构(de1)包括导电层(12a)和绝缘层(12b)，第二堆叠结构(de2)包括补偿层(12c)和绝缘层(12b)，第一堆叠结构(de1)的导电层(12a)的层数大于第二堆叠结构(de2)的导电层(12a)的层数；补偿层(12c)用于增高第二堆叠结构(de2)的高度；平坦层(13)覆盖薄膜晶体管层(12)。
