(EN) An electrostatic chuck is provided. Implemented according to an embodiment of the present invention is an electrostatic chuck comprising: a silicon nitride sintered body; a surface modification layer covering at least a portion of the external surface of the silicon nitride sintered body and having corrosion resistance and plasma resistance; and an electrostatic electrode laid inside the silicon nitride sintered body. Therefore, the electrostatic chuck includes a ceramic sintered body of silicon nitride, and thus has excellent plasma resistance, chemical resistance, and thermal shock resistance while exhibiting an equivalent or similar level of heat dissipation performance compared to ceramic sintered bodies of aluminum nitride that have been conventionally widely used, so that the electrostatic chuck can be widely used in semiconductor processes.
(FR) La présente invention concerne un mandrin électrostatique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un mandrin électrostatique comprend : un corps fritté en nitrure de silicium ; une couche de modification de surface recouvrant au moins une partie de la surface externe du corps fritté en nitrure de silicium et ayant une résistance à la corrosion et une résistance au plasma ; et une électrode électrostatique disposée à l'intérieur du corps fritté en nitrure de silicium. Par conséquent, le mandrin électrostatique comprend un corps céramique fritté en nitrure de silicium, et présente ainsi une résistance au plasma, une résistance chimique et une résistance aux chocs thermiques excellentes, tout en affichant un niveau équivalent ou similaire de performances de dissipation de chaleur par rapport aux corps céramiques frittés en nitrure d'aluminium qui ont été traditionnellement largement utilisés, de sorte que le mandrin électrostatique peut être largement utilisé dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs.
(KO) 정전 척이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 정전 척은 질화규소 소결체, 상기 질화규소 소결체 외부면을 적어도 일부 덮는 내식성 및 내플라즈마성 표면개질층 및 상기 질화규소 소결체 내부에 매설된 정전전극을 포함하여 구현된다. 이에 의하면, 질화규소인 세라믹스 소결체를 구비함에 따라서 종전 많이 사용되어오던 질화알루미늄 세라믹스 소결체에 대비해 동등 또는 유사 수준의 방열성능을 발현하면서도 내플라즈마성, 내화학성 및 내열충격성이 뛰어남에 따라서 반도체 공정에 널리 이용될 수 있다.