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1. WO2022250391 - PANNEAU MÈRE POUR PANNEAU D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2022/250391
Date de publication 01.12.2022
N° de la demande internationale PCT/KR2022/007268
Date du dépôt international 23.05.2022
CIB
H01L 27/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 27/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/50 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/52 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
H01L 33/48 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 25/0753
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
0753the devices being arranged next to each other
H01L 25/167
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
167comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
H01L 27/1218
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1218with a particular composition or structure of the substrate
H01L 27/1248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1248with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H01L 33/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
Déposants
  • 삼성디스플레이 주식회사 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 이승규 LEE, Seung Kyu
  • 김원태 KIM, Won Tae
  • 김형준 KIM, Hyung June
Mandataires
  • 박영우 PARK, Young-Woo
Données relatives à la priorité
10-2021-006858627.05.2021KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) MOTHER PANEL FOR DISPLAY PANEL
(FR) PANNEAU MÈRE POUR PANNEAU D'AFFICHAGE
(KO) 표시 패널용 모 패널
Abrégé
(EN) A mother panel for a display panel comprises a mother substrate and a first heat dissipation pattern. The mother substrate includes a display panel area and a dummy area. The dummy area surrounds the display panel area. The mother substrate defines a cutting line. The cutting line is irradiated with a laser along the boundary between the display panel area and the dummy area. The first heat dissipation pattern is disposed on the mother substrate. The first heat dissipation pattern includes a first rod portion and a first body portion. The first rod portion includes a plurality of lower rods. The lower rods extend from the display panel area to the dummy area so as to overlap the cutting line. The lower rods are spaced apart from each other. The first body portion is disposed in the dummy area. The first body portion makes contact with the first rod portion.
(FR) L'invention concerne un panneau mère pour un panneau d'affichage comprenant un substrat mère et un premier motif de dissipation de chaleur. Le substrat mère comprend une zone de panneau d'affichage et une zone factice. La zone fictive entoure la zone de panneau d'affichage. Le substrat mère définit une ligne de découpe. La ligne de découpe est irradiée avec un laser le long de la délimitation entre la zone de panneau d'affichage et la zone factice. Le premier motif de dissipation de chaleur est disposé sur le substrat mère. Le premier motif de dissipation de chaleur comprend une première partie de tige et une première partie de corps. La première partie de tige comprend une pluralité de tiges inférieures. Les tiges inférieures s'étendent de la zone de panneau d'affichage à la zone factice de manière à chevaucher la ligne de découpe. Les tiges inférieures sont espacées l'une de l'autre. La première partie de corps est disposée dans la zone factice. La première partie de corps est en contact avec la première partie de tige.
(KO) 표시 패널용 모 패널은 모 기판 및 제1 방열 패턴을 포함한다. 모 기판은 표시 패널 영역 및 더미 영역을 포함한다. 더미 영역은 표시 패널 영역을 둘러싼다. 모 기판은 커팅 라인을 정의한다. 커팅 라인은 표시 패널 영역과 더미 영역의 경계를 따라 레이저가 조사된다. 제1 방열 패턴은 모 기판 상에 배치된다. 제1 방열 패턴은 제1 로드부 및 제1 몸체부를 포함한다. 제1 로드부는 복수의 하부 로드들을 포함한다. 하부 로드들은 표시 패널 영역으로부터 더미 영역으로 연장되어 커팅 라인에 중첩한다. 하부 로드들은 서로 이격된다. 제1 몸체부는 더미 영역에 배치된다. 제1 몸체부는 제1 로드부에 접촉한다.
Documents de brevet associés
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